一、Alq提纯的改进及其性质研究（论文文献综述）
王米穴[1]（2021）在《用于白光有机电致发光器件的含氟硅氧烷改性超支化聚合物的性能研究》文中进行了进一步梳理白光有机电致发光器件（White organic light emitting device,WOLED）作为一种新型高效的绿色半导体平面光源,在柔性显示和固态照明方面都拥有显着优势,受到众多研究学者的广泛关注。其中,超支化聚合物（Hyperbranched polymer,HBP）由于具有独特的三维立体结构,可以有效地避免材料结晶导致的荧光猝灭现象,所以HBP是一种极具应用前景的发光材料。然而,白光HBP制备的器件的效率、亮度以及稳定性有待提高。针对上述问题,本论文从材料改性方面着手,选取一种不影响材料电导率和透光性的有机硅材料多面体齐聚倍半硅氧烷（Polyhedral oligomeric Silsesquioxanes,POSS）作为白光HBP的改性基团,并将疏水基团（三氟丙基）引入到POSS中。通过将POSS引入聚合物的侧链并改变POSS的含量以及芴和POSS之间的烷基链长度,进而调控POSS在聚合物中的空间位阻效应,对聚合物结构和性质进行了详细的研究,探索POSS对聚合物疏水性、热稳定性和所制备器件性能的影响规律,最终达到提高器件的亮度、效率以及稳定性的目的。本论文的主要研究内容如下所示:以2,7-二溴-9,9-二（乙氧基丙基-庚（3,3,3-三氟丙基）POSS）芴作为功能单体,通过改变功能单体的含量（1 mol%-20 mol%）,经Suzuki缩聚反应合成了一系列白光HBP材料PFSDF10A2-POSSx。PFSDF10A2-POSSx保持了白光HBP材料优异的光电性能和成膜性。由于POSS外围引入F原子,材料的疏水性大幅提高,随着POSS含量的增加,材料的水接触角由90°提升至114.5°,聚合物电致发光器件在最大亮度和流明效率等方面均有提高,且均实现了白光发射,色饱和度高,显示指数最高达96。为了进一步优化聚合物分子结构,通过改变白光HBP材料功能单体中芴和POSS之间的烷基链长度,经Suzuki缩聚反应合成了白光HBP材料PFSDF10A5-POSSx和PFSDF10A7-POSSx,研究了烷基链长度引起的空间位阻效应对聚合物性能的影响。聚合物材料保持了良好的光电性能和成膜性。随着POSS含量的增加及芴和POSS之间烷基链的延长,聚合物的分子量、溶解性、热稳定性和疏水性能均有明显提升。因此,器件的亮度和效率也有明显提升,最大亮度为424.1 cd/m2,最大电流效率为0.66 cd/A。且基于PFSDF10A7-POSSx的电致发光器件显色指数均在90附近。最终,当含氟POSS在白光HBP材料中的含量为20 mol%时,以POSS改性壬基芴为单体的白光HBP材料PFSDF10A5-POSS20的性能和器件效率最佳。此论文为合成高效稳定的白光超支化聚合物材料提供新的思路和实验基础。
蔡明瀚[2]（2020）在《高效稳定的热活化延迟荧光材料及其主客体关系研究》文中提出近来,纯有机热活化延迟荧光（TADF）材料及器件受到了学界和业界的广泛关注。尽管TADF器件已经取得了极高的效率,但是严重的效率滚降（roll-off）和过短的寿命都制约着TADF器件进一步的实际应用。如何在保证高效率的同时抑制器件的roll-off、提高器件寿命成为了一个亟待解决的问题。基于此,本论文设计合成了一系列TADF染料和主体材料,制备了相应的TADF器件,并详细地探讨了主客体及其相互作用对TADF器件性能的影响。主要成果如下:1.通过在给体基团上引入杂原子O、S和N,设计、合成了六个深蓝光/蓝光TADF材料。研究发现,降低TADF材料给体基团内杂原子到受体基团的距离,能够有效增大杂原子对TADF材料单线态和三线态自然跃迁轨道的贡献,增加单线态和三线态n-π*跃迁的比例,增强二者间的自旋轨道耦合（SOC）,进而提高TADF材料的反向系间窜越速率,降低器件内TADF染料的三线态激子浓度,在保证器件高效率的同时抑制器件的roll-off。基于TADF染料BFCZPZ1和BTCZPZ1制备的深蓝光和蓝光器件的最高外量子效率（EQE）可达6.5%和21.1%。同时,二者在1000 cd m-2下的EQE仍能保持在3.8%和10.6%。2.设计、合成了八个三亚苯基n型主体材料。研究发现,相邻主体分子内三亚苯基团间的强π-π相互作用力能够使主体材料形成有序排列,从而抑制了相邻主体分子间距离的波动和电荷跳跃位点能量的波动。通过进一步设计给体-受体型主体材料,调控材料内传输电子的最低未占分子轨道（LUMO）位于三亚苯基团上,能够使主体材料沿三亚苯堆积方向形成电子传输通路,大幅提高其电子迁移率,最高可达9.66×10-4 cm2 V-1 s-1。基于上述主体材料制备的绿光TADF器件的最高EQE可达16.3%。同时,由于器件内的湮灭过程被有效抑制,其EQE在5000和10000cd m-2下仍能保持在15.3%和13.8%。3.设计、合成了五个三线态能级、前线轨道能级和载流子迁移率不同的主体材料,成功的调控了TADF器件内的载流子复合方式。对器件roll-off的研究表明,由于器件内的三线态-三线态湮灭和单线态-三线态湮灭过程被有效抑制,郎之万复合（LR）主导器件的roll-off低于电荷捕获辅助复合（TAR）主导器件。而对器件寿命的研究表明,高能主体三线态激子是导致TADF器件老化的主要原因之一。通过选用三线态能级略高于TADF染料的n型主体材料结合器件结构优化,LR主导TADF器件具有比TAR主导TADF器件更长的寿命。基于该策略,设计了高效、稳定的LR主导蓝光TADF器件。其在1000 cd m-2下,EQE和半衰寿命达到了17.9%和269 h。
吴森[3]（2019）在《可溶液加工型小分子空穴传输材料的合成及在OLEDs中的应用》文中研究表明为了降低有机电致发光器件的生产成本并简化器件制备工艺,开发一系列可溶液加工的小分子空穴传输材料是十分重要的。本文设计并合成了五个基于咔唑基二苯胺的小分子空穴传输材料,其中两个为对称分子N2,N2,N7,N7-四（4-（3,6-二叔丁基-9H-咔唑基）苯基）-9,9-二甲基芴-2,7-二胺（p-BCz-F）与N2,N2,N7,N7-四（4-（2,7-二叔丁基-9H-咔唑基）苯基）-9,9-二甲基芴-2,7-二胺（m-BCz-F）,三个为非对称分子N,N-二（4-（3,6-二叔丁基-咔唑基）苯基）-9,9’-螺二芴-2-胺（2BCz-s F）,N,N-二（4-（3,6-二叔丁基-咔唑基）苯基）-9,9-二甲基芴-2-胺（2BCz-F）和N,N-二（4-（咔唑基）苯基）-9,9-二甲基芴-2-胺（2Cz-F）,五个分子均通过核磁和质谱对结构的正确性进行了鉴定。同时五个目标分子在常见的有机溶剂中均表现出了良好的溶解性。对目标化合物的热性能、光物理性能、电化学性能进行了系统的研究,并通过理论计算得到了五个材料的最优构型,进而研究分子构型和性能之间的关系。优化后的分子构型表明咔唑的引入扩大了分子的共轭面积,咔唑基二苯胺的引入使得分子具有更加扭曲的空间结构,这可以有效地抑制材料的结晶且有利于形成无定形的薄膜。两个对称的分子表现出的椭球形结构有利于得到较高的玻璃化转变温度,其中p-BCz-F的玻璃化转变温度（Glass transiation temperature,Tg）为168°C,非对称的三个分子中,2BCz-s F中螺芴得分子呈现出较大的空间结构,这有利于得到较高的热稳定性（Decomposition temperature,Td=500°C;Tg=198°C）。XRD测试表明五个分子制备薄膜的衍射峰均与ITO基底保持一致,说明五个材料制备的薄膜均为无定型薄膜。通过AFM得到五个分子制备薄膜的表面粗糙度均小于1 nm。其中2BCz-F呈现出最小的（Root mean square,RMS=0.452 nm）。通过空间限制电荷电流法（SCLC）测试得到五个空穴传输材料均表现出了良好的空穴传输性能,空穴迁移率均为10-4 cm2.V-1.s-1数量级,2Cz-F表现出最高的空穴迁移率为6.91×10-4 cm2.V-1.s-1。将p-BCz-F和m-BCz-F通过溶液法应用于BCz VBi为发光层的蓝色荧光器件中,经过对器件的优化后两个材料均得到了优秀的器件性能。其中p-BCz-F表现出更好的器件性能,最大亮度为23365 cd/m2,最大电流效率为7.05 cd/A。将2BCz-F、2BCz-s F以及2Cz-F应用于以Ir（mppy）3为发光层的掺杂型绿色磷光器件中,2BCz-F得到最优的器件性能,最大亮度为155796 cd/m2,最大电流效率为42.01 cd/A。将p-BCz-F负载于交联型材料v-p-TPD构建“笼”中构建以PFO为发光层的全溶液器件中,当p-BCz-F与v-p-TPD比例为1:5时得到最高的器件性能,最大亮度为18523 cd/m2,效率为2.85 cd/A,说明通过在交联型空穴传输材料的网中负载小分子空穴传输材料有利于提高器件性能,这为小分子空穴传输材料制备全溶液器件提供了一种新的思路。
梁骁勇[4]（2018）在《用于溶液工艺发光二极管的金属氧化物界面层研究》文中研究表明本论文围绕金属氧化物界面层在溶液工艺发光二极管器件（LED）中的应用展开研究,旨在理解溶液工艺氧化物界面层的性质和LED性能之间的关系,开发性质满足溶液工艺LED器件需求的氧化物界面层材料。针对氧化锌（ZnO）胶体纳米晶电子注入层和氧化镍（NiOx）空穴注入层在溶液工艺LED应用中存在的问题,分别在纳米晶合成和界面层薄膜后处理阶段对它们的性质进行调控,并研究了调控前后界面层薄膜性质对LED性能的影响。在电子注入层方面,通过化学反应动力学的控制,实现了对ZnO纳米晶的铟（In3+）掺杂,合成出了 In3+掺杂的ZnO纳米晶（IZO）,发现In3+掺杂能提高ZnO纳米晶的自由电子浓度。随后,经过配体交换和成膜工艺的优化制备了高质量的IZO纳米晶薄膜,并实现In3+掺杂调控ZnO纳米晶薄膜的表面功函数。将IZO薄膜作为电子注入层,应用于溶液工艺有机发光二极管器件中。研究结果显示:IZO纳米晶能将器件的开启电压降低0.5V,效率提高一倍多。基于扫描开尔文探针显微镜的研究结果,我们发现器件性能的提高是因为,In3+掺杂对薄膜表面功函数的调控作用降低了器件中电子注入的势垒。在空穴注入层方面,针对溶液工艺NiOx薄膜功函数不够高,空穴注入能力差的问题,开发了一种小分子修饰方法,在NiOx薄膜表面引入界面偶极,并系统研究了小分子修饰对NiOx薄膜表面性质的影响。结果显示:小分子修饰提升NiOx薄膜表面功函数的效果显着优于常用的紫外臭氧处理,而且能在一定程度上抑制NiOx薄膜对量子点的淬灭作用。进一步研究发现:小分子修饰能显着减小NiOx薄膜在器件中的空穴注入势垒,提高空穴注入效率;修饰后的NiOx薄膜和广泛使用的聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）具有同等的空穴注入能力。该研究提供了一种提高NiOx薄膜表面功函数的有效方法,解决了 NiOx薄膜空穴注入能力低的问题。基于NiOx薄膜表面小分子修饰的结果,用NiOx薄膜替代PEDOT:PSS制备溶液工艺量子点发光二极管（QLED）时发现,相对于PEDOT:PSS,NiOx薄膜作为空穴注入层需要特别关注以下问题:NiOx薄膜比PEDOT:PSS的折射率大,对QLED器件的出光率有不利影响,优化器件时,需兼顾载流子注入平衡和提升器件出光率两方面。为了提高空穴注入效率和器件出光率,NiOx薄膜必须尽量薄,这导致它缺乏PEDOT:PSS对铟锡氧（ITO）透明衬底形貌起伏所具有的“平坦化”作用,容易引起QLED器件产生漏电流,影响器件性能。因此,NiOx薄膜应用于QLED时,对ITO衬底的平整度提出了特殊要求。基于上述认识,以小分子修饰的NiOx薄膜为空穴注入层,实现了效率和寿命均优于以PEDOT:PSS为空穴注入层的QLED器件。该研究有助于推动NiOx薄膜在溶液工艺QLED中的应用。
谢万峰[5]（2016）在《八羟基喹啉基有机小分子晶体材料的制备及光电特性研究》文中指出人类对有机材料的发现和认识已经经历了2个多世纪。早在1806年,J.J.Berzelius（瑞典化学家）首次提出了有机化合物的概念,随后人工合成了与尿液中的尿素相同的化合物,从此有机化合物的概念被推广到无生命的含碳物质上；后来,各国科学家尤其是化学家逐渐对合成有机化合物材料产生了浓厚的兴趣,经广大科学家艰辛探索,相继得到了长链高分子结构、橡胶及其硫化橡胶、celluoid塑料等。同时,随着新材料的不断合成,人们对有机物的研究也更加深入。几十年后,对有机晶体材料及非线性光学性质的研究也逐步展开。1977年,J. A. Heeger等人由于在导电高分子材料方面的开创性工作而获得了2000年诺贝尔奖。该工作揭示了高分子导电的必要条件,即碳原子间存在单双键交替的π共轭结构；1988年,法国科学家Fert A和德国物理学家Gruenberg P由于在巨磁阻效应（GMR）上的杰出贡献获得了2007年诺贝尔物理学奖,利用此项发现生产的高灵敏度磁传感器已经被成功应用到了硬盘的读出头上,极大地促进了科技进步和生活的便利；2002年,Dediu等人首次报道了将自旋极化电荷注入到有机半导体中的现象；随后,熊等人首次以Alq3为有机层制备了“三明治”结构的有机自旋阀器件,在低温下得到了40%的磁电阻。从此有机半导体开始被用在了自旋电子学中,产生了一门新兴交叉学科——有机自旋电子学。众所周知,电子有2个内禀属性即电荷和自旋,有机自旋电子学就是研究如何借助有机半导体材料将电子的电荷自由度和自旋自由度同时利用起来,制备数据存储密度高,运行速度快,低开启电压,功耗小和数据非挥发器件。为什么选择有机半导体材料,有何优点呢?第一,有机半导体材料具有种类繁多,价格低廉,重量轻,柔韧性好,可设计或可操控性强,还容易满足不同的功能需求；第二,有机半导体材料相比无机半导体材料而言由于弱的自旋和轨道及超精细相互作用。因此,有机半导体材料中的自旋扩散长度和自旋弛豫时间均较长,使得有机半导体材料在自旋电子学领域中表现出无可替代的优势,越来越多的引起众多学者的持续关注。尽管,有机半导体材料确实具有实现上述目标的优点,然而目前在自旋输运机制的理解上仍然存在较大分歧。1996年后,富勒烯,碳纳米管和二维富勒烯材料在实验上被先后发现,并且上述三种材料的理化性质表现出与结构、维度和形状有非常强的关联。今后几十年中,人们对制备有机半导体材料的纳米结构和形状做了大量的工作。纳米结构材料（包括纳米点,纳米棒、纳米线和纳米管等）常常会在其他维度上表现出量子限制效应。尤其是1D纳米结构比非晶的纳米颗粒更适合制造性能优异的纳光电子器件和微纳集成电路。在光电集成电路中,1D无机纳米结构材料作为基本的器件构筑单元已经被广泛研究和应用,因此人们便作出了合理假设。认为,作为无机半导体材料的对应物有机半导体材料也会在光电集成电路上发挥重要的作用,甚至在某些方面会优于无机半导体材料。比如,1)到目前为止,无机半导体材料的电子器件性能发展到现在或许已经到了极限,要想进一步提高器件性能、减小器件尺寸和降低成本变得非常困难。主要原因是以无机半导体材料制备的器件在单位面积上的容量不可能一直会遵循摩尔定律的方式持续下去,由于量子遂穿现象引起的漏电流会大大降低器件性能；2)与无机半导体材料相比,有机材料种类多,功能可通过化学合成和嫁接等手段进行调制；3)有机材料具有质量轻、韧性、柔性和易加工性等优势,适合大面积印刷和便携式器件的制备；4)有机半导体材料不但可以实现无机半导体材料的一些功能,还具备自身奇特的性能,所以在补充或是扩展无机半导体材料器件的功能上潜力巨大；5)最后,有机材料与生物体的兼容性好,若结合纳米科技有机材料会在生命科学和现代医学方面具有强大的活力。因此,制备有机半导体材料的纳米结构不但可以丰富材料本身的性质,在面向器件和现代医药方面的应用也是翘首以盼。近些年自下而上生长纳米结构材料的技术已经进入一个新的时期,特别是人们为提高材料的功能而对有机纳米管进行分子层面的设计和组装,同时还关心有机纳米管如何作为纳米通道或是胶囊加以利用,尤其关心有机纳米管的包裹／封装能力。自组装有机纳米管（S-ONTs）的维度和某些材料的纳米结构尺度相互兼容,比如蛋白质、有机（无机,金属）纳米颗粒、树枝状大分子、病毒和DNA分子。自组装有机纳米管可以发展成为一门新兴科学与技术来研究其中尺度（mesocale）的性质,这些都将推动有机纳米管在生物、物理和化学研究上的深度交叉和应用。因此,设计过程可控的超分子纳米管是未来发展的方向之一,可以在新型功能材料、现代生物技术和高效催化领域有巨大应用前景。尽管如此,但是据我们所知,到目前为止,Alq3和Gaq3材料的管状纳米结构还鲜见报道,而管状结构由于具有较大的比表面积和装载能力,制备这两种材料的管状结构为进一步丰富材料的性质和挖掘材料在物理和现代医药方面的应用意义重大,尤其是作为抗癌细胞药物材料且已经成功通过了Ⅰ期临床试验的Gaq3。然而,具有药物装载、输运和受控释放功能的管状Gaq3纳米结构至今没见到相关报道。本论文主要以8羟基喹啉铝和8羟基喹啉镓这两种常用的有机小分子半导体材料为研究对象,采用物理气相沉积和液相自组装的办法分别制备出了0D和1D纳米结构,特别是Gaq3管状纳米结构为首次得到。同时,我们还研究了这些材料结构的光电性质,主要内容和结果如下：1、PVD法制备的ε相八羟基喹啉铝单晶与性质表征采用PVD法首次直接得到了高质量的ε-Alq3单晶,通过XSCD得到了晶胞参数：a=13.548（2）A,b=15.880（3）A,c=13.548（2）A,a=95.507（2）°,β= 109.735（3）°,γ=114.801（2）°,volume=3308.01A3,Z=6。所制备的松针状晶体尺寸大约为10 x 10 ×300μm3。由于生长速度慢且克服了晶体生长过程中的环境扰动,我们制备的晶体质量较高；其次,首次观察到了Alq3的层状结构生长形式。变温PL谱表明ε-Alq3的发光峰在519nm（2.39eV）附近,且光学带隙为2.82 eV。2、八羟基喹啉铝纳米颗粒的制备与同时发射红（R）、绿（G）和蓝（B）三基色光特性研究我们利用特别简单的溶液自组装的办法首次成功制备出了具有大米粒状的单晶Alq3纳米颗粒,其尺寸大小可以通过调整溶液浓度的办法予以调控,长宽比在2.7-5.6范围内的变化可调。有趣的是,这种颗粒的光致发光谱同时在410 nm（3.0 eV）,518 nm（2.4eV）和690 nm（1.8eV）处存在非常明显的三个峰,这是未掺杂Alq3材料中首次观测到的现象。实验中,我们还通过时间分辨和改变激发功率的PL谱,结合激子动力学的知识,分析了其发光机制,给出了这种现象的初步解释。3、柔性单晶Alq3微纳米管的制备与表征本文中我们成功制备出了Alq3微米管,所得到的单晶Alq3微米管具有规则的六边形横截面,管壁表面光滑未见明显缺陷。另外,所得Alq3管状结构具有一定的韧性。我们巧妙地利用Alq3溶液浓度来控制生长时间,进而得到了不同生长阶段的表面形貌照片,直观地反映了Alq3管生长的4个阶段；其次,所得到的Alq3微米管具有与实心的Alq3一维纳米结构明显不同的光波导特性,为以后制备高性能的光波导器件提供了很好的材料基础。最后,我们相信这种简单可行的方法可以很容易复制到其他有机小分子材料的管状纳米结构的合成上。4、八羟基喹啉镓微纳米棒的制备与性质表征我们采用PVD法首次制得具有规则六边形横截面的Gaq3结晶微米棒,通过粉末X射线衍射（PXRD）峰我们得出所得样品为mer构型的α-Gaq3。所制备的Gaq3微米棒最长可达到400 um,半径为9 um,长宽比为44。由于生长速度慢且尽可能克服了晶体生长过程中的环境扰动,所得晶体样品形貌规则、结晶质量较高；PL谱图显示在450到650 nm之间有一个较宽的发射峰,其峰位大致在528 nm处,呈现绿光发射特性,其色坐标为（0.268,0.535）。5、八羟基喹啉镓微纳米管的可控制备与表征我们同样利用溶液自组装办法首次成功获得了壁厚在纳米尺度的Gaq3亚微米管。同时,我们发现通过调整Gaq3溶液的浓度和生长环境温度可以大致调控Gaq3材料的结构和形貌；其次,这种新颖的Gaq3管状结构虽然具有和其他纳米结构相接近的光学特性,但是这种结构的比表面积较大,使得这种管状结构的Gaq3材料可以在新型光电产业有潜在的应用价值。特别是,基于这种材料结构的器件显示出了较好的场发射特性,表现为相对较低的开启电压（8.5V gm-1）和较大的电流密度值（2.3 mA cm-2）;另外,到目前为止我们首次获得了管中套管和管中镶嵌一根纳米棒的新颖结构,这必将有效证明Gaq3管具备药物装载的功能,为Gaq3材料在新型药物研发上提供参考。
蔡元婧[6]（2015）在《聚集诱导高效荧光环状硅杂环戊二烯衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究》文中提出具有高固态荧光量子产率的合成材料在发光器件能源高效转换方面发挥着重要的作用。分布于硅原子环外的两个化学键的σ*轨道和环内丁二烯π*轨道的相互作用使得硅杂环戊二烯具有σ*-π共轭体系。由于其最低未占轨道（LUMO）的能级较低，因此赋予了硅杂环戊二烯优良的有机光电性能且在发光器件上有非常广阔的应用前景。目前，对于提高硅杂环戊二烯在发光器件中的固态荧光量子产率的研究，国内外更多的是通过对硅杂环戊二烯类化合物在硅原子上或环戊的碳原子上取代基的结构修饰改性、或者对硅杂环戊二烯在2,5位碳原子上的聚合形成聚合物来实现。这些合成反应并不是很简单，反应条件也不总是很温和。相对而言，目前鲜见文献报道将硅杂环戊二烯引入到环硅氧烷中从而合成荧光化合物的研究；对于硅杂环戊二烯中硅原子上的1,1位聚合形成的具有荧光性质的聚硅氧烷的研究也很少；而且人们对固态荧光量子产率大小的机理研究尚不完善。因此，探索不同合成方法、对硅杂环戊二烯的分子结构设计以合成高固态荧光量子产率的新化合物或聚合物是硅杂环戊二烯在实际应用中的关键；深层次地对固态荧光量子产率高低的机理研究具有重要的学术意义和应用价值。本论文以硅杂环戊二烯荧光团为研究对象，通过分子结构设计，合成了一系列以甲基、苯基作为间隔基团、将不同荧光团（硅芴、1,3-二苯基-9-硅芴、2,3,4,5-四苯基-1-硅杂环戊二烯、铝二喹哪啶）引入环硅氧烷或含硅化合物中形成的高固态荧光量子产率的新的化合物，系统研究了这类硅杂环戊二烯衍生物的合成和分离提纯方法，全面表征了这一系列新化合物的化学结构，探讨了间隔基（甲基、苯基）以及环硅氧烷大小、不同荧光基团对硅杂环戊二烯衍生物的荧光性能的影响，系统研究了该类化合物在四氢呋喃溶液、薄膜、单晶粉末固态下的的紫外吸收、荧光发射、聚集诱导发光、荧光寿命及荧光量子产率，深层次分析了该类化合物的单晶分子堆积排列和分子间相互作用，计算了该类化合物的分子轨道和紫外激发单重态，研究了固态荧光性能的机理，尝试了通过两种硅杂环戊二烯环硅氧烷的开环聚合反应合成1,1位聚合的聚硅杂环戊二烯。研究了环硅氧烷开环反应合成含氨基聚硅氧烷制备硅橡胶的阻尼性能。本论文的主要研究内容和结果如下：（1）硅芴环硅氧烷衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究。采用共水解反应合成了四种新的含有硅芴荧光团的环硅氧烷衍生物，并对它们进行了结构表征。研究了该环状硅芴衍生物在溶液、薄膜和晶状粉末状态下的紫外吸收和荧光发射的性能。研究表明，这些化合物在溶液中和薄膜状态下紫外吸收峰对应的波长约为278nm；在溶液中荧光发射谱峰对应波长约355nm；在晶体粉末固态下的荧光发射光谱的谱峰范围为369-403nm，并伴有发射强度小的肩峰（488-500nm）。与溶液相比，这些化合物在薄膜和晶体粉末固态下的荧光发射峰都有明显的红移。这些化合物在溶液中有相似的低荧光量子产率（Φfl=0.13-0.15）；但是它们都具有较高的固态的荧光量子产率（Φfl=0.35-0.54）。这些化合物在聚集态下荧光发射强度增加不大（I/I0=1.5）。在单晶结构中，含有四个硅芴结构单元的环四硅氧烷化合物存在部分重叠的π-π相互作用，其他三个化合物的硅芴单元仅具有CH-π相互作用。理论计算表明，所有化合物的光学允许激发态涉及的跃迁轨道（HOMO-1, LUMO, LUMO+1）均分布在硅芴结构单元上；相较于单个分子化合物，这些化合物的单晶固态的激发态跃迁轨道之间的能级减少；含有四个硅芴结构单元的环四硅氧烷化合物和含有两个硅芴结构单元的环六硅氧烷化合物只有一个光学允许的单重激发态，这可能会与光学禁止激发态发生能量转移从而造成荧光衰减。（2）2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环硅氧烷衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究。采用共缩合反应合成了三种新的含有四苯基硅杂环戊二烯荧光团的环硅氧烷衍生物，并对它们的结构进行了表征。研究了该环状四苯基硅杂环戊二烯衍生物在溶液、单晶固态下的紫外吸收和荧光发射的性能。研究表明，这些化合物在溶液中的紫外吸收峰对应的波长为366-375nm，荧光发射峰对应的波长为490-500nm；这些化合物在晶体状态下的荧光发射峰对应的波长为505-528nm。虽然这些化合物在四氢呋喃溶液中具有低的荧光量子产率（Φfl≈0），但是它们的固态荧光量子产率均很高（Φfl=0.19-0.86）。此外，这些化合物都具有良好的聚集诱导荧光增强的特性（I/I0=60）。在单晶结构中，这些化合物都有弱的分子间CH-π的相互作用；除此之外，间隔基为苯基（Ph2Si-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环三硅氧烷还具有分子内CH-π的相互作用。理论化学计算表明，这些化合物的分子跃迁轨道（HOMO-1, LUMO, LUMO+1）均位于四苯基硅杂环戊二烯单元上；间隔基为苯基（Ph2Si-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环三硅氧烷的光学跃迁是从基态S0到第二激发态S2，但是间隔基为苯基（Ph2Si-）或甲基（Me2Si-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环四硅氧烷的光学跃迁是从基态S0到S4，后者在光学跃迁中发生光学允许激发态与光学禁止激发态（S2、S3）之间的能量转移可能性较大，这可能是后者具有较低的固态荧光量子产率的原因。（3）硅杂环戊二烯类环四硅氧烷衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究。采用共水解和缩合反应合成了三种新的含有硅芴、1,3-二苯基-9-硅芴、2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯荧光团的环四硅氧烷衍生物，并对它们的结构进行了表征。研究了该环四硅氧烷衍生物在溶液、单晶固态下的紫外吸收和荧光发射的性能。研究表明，在四氢呋喃溶液中，硅芴荧光团的紫外吸收峰对应的波长为279和291nm，荧光发射谱峰对应波长为359nm；1,3-二苯基-9-硅芴荧光团的紫外吸收峰对应波长为265nm，荧光发射谱峰对应波长为375nm；2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯荧光团的紫外吸收峰对应的波长为367nm,荧光发射谱峰对应波长为491nm。含有硅芴和2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯两种荧光团的环四硅氧烷在溶液和固态下的荧光性能主要来自荧光团2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯。在溶液中，1,3-二苯基-9-硅芴环四硅氧烷（Φfl=0.18）比硅芴环四硅氧烷（Φfl=0.14）的荧光量子产率大，2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯环四硅氧烷（Φfl=0.01）的荧光量子产率最小。这些化合物都具有很高的固态荧光量子产率（Φfl=0.65-0.78）。1,3-二苯基-9-硅芴环四硅氧烷和硅芴环四硅氧烷没有显着聚集诱导荧光增强现象（I/I0<2），2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯环四硅氧烷有较明显的荧光增强特性（I/I0≈18）。在单晶结构中，这些化合物都存在π-π和CH-π相互作用。含有硅芴和2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯两种荧光团的环四硅氧烷的π-π和CH-π相互作用只在硅芴单元上，四苯基硅杂环戊二烯单元没有任何π-π或CH-π相互作用；又由于该化合物的紫外吸收峰与荧光发射峰有较大的重叠，所以该化合物能发生有效的无辐射荧光共振能量转移，这与该化合物在溶液和固态下的荧光性能主要来自四苯基硅杂环戊二烯荧光团的实验事实相符。分子轨道与单重激发态的理论化学计算表明，这些化合物的光学跃迁主要是（π-π*）的HOMO-LUMO跃迁；硅芴环四硅氧烷的HOMO和LUMO分布于硅芴单元上，1,3-二苯基-9-硅芴环四硅氧烷的HOMO和LUMO分布于1,3-二苯基-9-硅芴单元上，含有硅芴和2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯两种荧光团的环四硅氧烷的HOMO和LUMO分布于2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯单元上。（4）固态荧光量子产率100%的硅杂环戊二烯类衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究。采用共缩合和酸碱中和反应合成了五种新的含有2,3,4,5-四苯硅杂环戊二烯、硅芴、-AlQ2（铝二喹哪啶）荧光团的高固态荧光量子产率的硅杂环戊二烯类衍生物，并对它们的结构进行了表征。研究了该硅杂环戊二烯衍生物在溶液、单晶固态下的紫外吸收和荧光发射的性能。研究表明，间隔基为甲基苯基（PhMeSi-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环四硅氧烷的反式异构体和间隔基为甲基（Me2Si-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环三硅氧烷具有相似的紫外吸收（366-373nm）和荧光发射（497-500nm），它们在溶液中的相对荧光量子产率接近零，但是固态荧光量子产率分别为0.99和0.97（接近100%）；这两种化合物都具有较好的聚集诱导发光性能：I/I0=94。在晶体结构中，间隔基为甲基苯基（PhMeSi-）或甲基（Me2Si-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环硅氧烷没有任何π-π相互作用，只有CH-π相互作用；前者有分子内和分子间的CH-π作用，后者只有分子间的CH-π相互作用；间隔基为甲基苯基（PhMeSi-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环四硅氧烷的顺式异构体在晶格中主要是一维堆积排列，其反式异构体和间隔基为甲基（Me2Si-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环三硅氧烷在晶格中都是三维网络排列堆积。高斯计算结果显示，间隔基为甲基苯基（PhMeSi-）的2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环四硅氧烷的顺式异构体和反式异构体的电子构型没有任何显着的差异，它们的第一单重激发态S1的跃迁是光学禁止的，因此它们的紫外吸收光谱对应的是第二单重激发态S2的跃迁；所有的跃迁分子轨道（HOMO-1，HOMO，LUMO+1）主要分布在2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯结构单元上。含1,3-二苯基-9-硅芴和-AlQ2的硅杂环戊二烯衍生物、含硅芴和-AlQ2的硅杂环戊二烯衍生物的荧光发射主要来自-AlQ2荧光团（发射峰对应波长461-476nm）。这两种化合物在THF/H2O的混合溶液中没有聚集诱导发光现象；它们的溶液荧光量子产率为0.31-0.34，固态荧光量子产率高达0.92和0.79。此外，含硅芴和-AlQ2的硅杂环戊二烯衍生物的晶体具有机械研磨变色的特性，该样品经研磨后的荧光发射光谱的谱峰有红移（λem=481nm）。（5）环硅氧烷的开环聚合及其应用。以硅芴及2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯环硅氧烷作为单体，通过不同催化剂合成硅杂环戊二烯1,1位聚合的聚硅氧烷。研究表明，采用四甲基氢氧化铵作为催化剂、甲苯为反应溶剂的硅芴环四硅氧烷的开环聚合，反应生成硅芴1,1位聚合的白色不溶沉淀物在室温下几乎不溶解于任何有机溶剂，只能在100°C左右的高温下溶于1,2-二氯苯。研究了以八甲基环四硅氧烷作为单体开环聚合，再与含氨基的硅氧烷共缩聚，然后与环氧小分子侧链接枝改性合成的聚硅氧烷在阻尼减震材料中的应用。由室温粘度（2.5×104mP s8.0×104mP s）不同、含氮Si-O链节百分含量相同（5%）的侧链含烷烃或苯环的两种含氮聚硅氧烷与纳米二氧化硅固化形成的硅橡胶具有相似的阻尼特性（最大阻尼系数tanδmax=0.42，对应阻尼温度Tg=-72℃-50℃）。由室温相似粘度（6.5×104mP s）、不同含氮Si-O链节百分含量的侧链含烷烃或苯环的两种含氮聚硅氧烷与纳米二氧化硅固化形成的硅橡胶，其阻尼系数和Tg随着硅橡胶中含氮Si-O链节含量增加而增大，且阻尼温度范围变宽；当含氮Si-O链节百分含量为18%时，硅橡胶具有最佳的阻尼性能：tanδmax>0.82。
贾梦鑫,张颂培[7]（2013）在《8-羟基喹啉铝的制备与应用的研究进展》文中研究指明8-羟基喹啉铝（Alq3）是一种重要的有机电致发光材料,有良好的成膜性、热稳定性、电子传导性等,广泛应用于制备各种有机发光器,所制器件具有平板化,主动发光、亮度高、高对比度、响应速度快、驱动电压低等优点。重点介绍8-羟基喹啉铝的制备、老化性、应用以及对未来的展望。
赵祥华[8]（2013）在《位阻型芴基发光材料的设计、合成及其应用》文中研究说明自Tang等首次报道了开创性的工作以来，有机发光二极管因其重量轻、视角广、对比度高、原料来源广及廉价、自主发光、大面积柔性显示、响应速度快等特点而被应用在平板显示和固体照明领域日益倍受关注。为了满足全彩显示的需要，以众多荧光及磷光为客体材料的有机电致发光器件相继被开发出来。磷光有机发光二极管由于存在重金属旋轨耦合作用使得其内量子效率在理论上达到100％而引起广大科学工作者的巨大兴趣。实现高效电致发光器件有两个至关重要的因素：一个是开发高效的磷光客体材料；另一个是制备适当的主体材料。为此，本文设计合成了一系列基于9-羟基-9-（2-吡啶基）-芴和9,9’-螺-氧杂蒽衍生物的主客体发光材料并制备了相应的电致发光器件。1.9-羟基-9-（2-吡啶基）芴的傅-克反应构建主体发光材料的合成及光电性质研究9,9-二芳基芴因具有较大的三维空间位阻效应而具有稳定的无定形态及高的热稳定性，能够有效抑制客体磷光材料在薄膜状态下的浓度猝灭及三线态湮灭。另外，芴具有较高的三线态能级（2.95eV），通过对其9-位修饰而能够使其既具有良好的光电性能又因非共轭连接而具有较高的三线态能级。基于这种思想，本文以9-羟基-9-（2-吡啶基）芴通过傅-克反应，简洁高效地制备了一系列9-羟基-9-（2-吡啶基）芴功能化的发光材料，并制备了红绿蓝三基色磷光PhOLEDs器件，其最大外量子效率分别为8.9％、11.1％和10.5％。研究结果表明9-吡啶基芴的引入能够同时增加电子和空穴的注入，因而有望制备低压高效磷光器件。2.喹啉/螺-9,9-氧杂蒽双极性分子的合成及光电性质研究本文设计合成了以螺-9,9-氧杂蒽芴为核，引入多个喹啉单元构筑一系列双极性螺环化合物，其溶液的紫外吸收和荧光发射光谱不随喹啉基团个数及位置的变化而变化，但在固体薄膜状态下均随着喹啉基团个数的增加而发生红移。另外，螺环具有稳定的无定形态、较高的热稳定性、较高的三线态能级以及良好的空穴传输性能，通过从外围引入不同数量的吸电子喹啉基团，以调节化合物的电子传输能力，从而使得双极性螺环化合物的空穴传输能力和电子传输能力相互平衡，以扩大激子复合区域，使其在发光层中高效复合发光，因而有望制备高效发光器件。本文以喹啉/螺-9,9-氧杂蒽双极性分子为主体分别制备了红绿蓝三基色磷光器件，其最大外量子效率分别为9.1％、6.3％和0.21％。3.含Ir（III）的三维有机金属螺环磷光材料的合成及光电性质研究本文设计合成了2-（2-吡啶基）-9,9-螺-氧杂蒽芴（PySFX）和9-羟基-9-（2-吡啶基）芴（PyFOH）两种不同的有机配体。构筑了两种不同螺环功能化的磷光铱（III）配合物、金属螺环配合物（PySFX）2Ir（PyFO）和螺环功能化的配合物（PySFX）2Ir（acac），并对其结构进行了核磁表征（氢谱和碳谱），对其分子轨道使用TDDFT方法进行密度泛函计算，从理论上研究了分子前线轨道与结构之间的关系。通过TGA和DSC曲线对其热稳定性和形貌稳定性进行了表征和分析，考察螺环功能化对其热稳定性和玻璃化转变温度的影响，并对其光谱和电化学及性质进行了考察和分析，研究这两种不同螺环有机金属磷光材料的光学性质与结构间的相互关系。4.含铂（II）的三维螺环材料的合成及光电性质研究本文将金属螺环引入到铂（II）配合物中有望能够有效阻止分子间相互作用以制备高性能器件，大体积金属螺环能够有效控制Pt-Pt间相互作用，从而抑制二聚体发光。设计合成了螺-9,9’-氧杂蒽功能化的铂（II）配合物，利用其螺环配体和金属螺环的超分子位阻效应，得到电流效率为16.0cd/A和最大外量子效率为5.2％的橘黄色电致发光器件。
简晓慧[9]（2013）在《几种有机分子包埋纳米粒子薄膜的制备及电学特性研究》文中进行了进一步梳理近年来,有机存储器件以其机械柔性好、质量小,成本低、可大面积制作等优点而得到广泛研究,在众多存储器件中有机双稳态器件成为了替代传统半导体存储器的潜在选择研究表明纯有机薄膜的开关比小、保持时间短、稳定性差,无法满足实际应用要求。纳米粒子有机分子包埋复合薄膜双稳态器件因具良好开关特性成为研究重点,目前包埋纳米粒子的种类主要包括金属纳米粒子（Au、Ag、Cu）、金属氧化物（ZnO、CdSe）、有机染料分子及生物活性分子。本研究选用空穴传输材料PMMA和电子传输材料Alq3包埋氧化还原法制备的Au纳米粒子和NiO、TiO2、和NiTiO纳米粒子,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、扫描探针显微镜、紫外可见光分光光度计、电化学工作站等分析仪器,研究了纳米粒子浓度、薄膜厚度、退火温度、薄膜层数及复合结构等对复合薄膜的结晶性、表面形貌、开关特性、光学特性等的影响。论文主要内容如下：首先,研究了PMMA、Alq3和PMMA:Alq3包埋Au纳米粒子器件的特性。结果表明Au纳米粒子均匀分散子薄膜中,成膜性很好。有机分子包埋后的器件均表现出电学双稳态特性,开关比较纳米粒子本身的开关比增大了两个数量级。GaIn/Au-PMMA/ITO器件的开关特性在3层薄膜、PMMA和Au纳米粒子体积比为1：1、退火温度为110°C较好。不同膜层结构对Galn/Au-Alq3/ITO器件的开关比影响不大,均接近纳米粒子本身开关比。对于不同膜层结构的GaIn/Au-PMMA:Alq3/ITO器件,电极与有机层直接相接触的器件的开关比大于与电极与纳米粒子直接相接触的器件开关比。对器件进行时效追踪,发现器件的开关特性在经过15天后仍能稳定保持。对Au-PMMA和Au-Alq3系统的第一性原理计算发现相对于本征有机分子,复合系统产生了新的能级轨道,禁带宽度减小。其次,研究了PMMA、Alq3和PMMA:Alq3包埋NiO、TiO2、内米粒子器件的特性。PMMA、Alq3包埋NiO纳米粒子器件分别在2.5mg/3ml、10mg/3ml的浓度下达到最好的开关性,开关比较NiO本身增大了两个量级。PMMA、Alq3、PMMA:Alq3包埋TiO2纳米粒子薄膜器件的开关比表现出双稳态特性,但是无明显的阂值电压,且电阻率随着包埋浓度的增大而减小。最后,研究了PMMA、Alq3及PMMA:Alq3包埋按不同Ni:Ti比复合的NiTiO纳米粒子薄膜器件表现出开关特性。结果表明器件GaIn/NiTiO-PMMA/ITO和GaIn/NiTiO-Alq3/ITO器件在Ni:Ti为7：1时,开关比最大,阈值电压也较小。器件GaIn/NiTiO-PMMA:Alq3/ITO在Ni:Ti为3：1时,开关比最大,阈值电压最小。对器件进行单向电压扫描,器件在阈值电压处打开后,一直处于开状态,即反向电压的施加对器件开关现象的可重复性是不可缺少的。总之,有机分子包埋纳米粒子复合薄膜的开关特性与有机分子同纳米粒子的能级匹配有关,开关机理为电荷捕获/释放。
郑宏[10]（2011）在《界面修饰对有机场效应管性能影响的研究》文中提出以有机半导体材料作为有源层的有机场效应管（Organic Field Effect Transistor,OFET）,因其具有独特优点,如低成本、低功耗、制备工艺简单、可与柔性衬底相兼容、大面积生产等,已广泛应用于射频卡、识别卡、各种传感器、平板显示器的有源驱动电路、环形振荡器以及有机电子纤维等领域。在OFET中,对于器件性能的提高途径除了选取合适的材料、结构以外,引用修饰层也是一种重要的方法,其中包括绝缘层/有机层界面的修饰和有机层/源漏电极界面的修饰。因此,研究修饰层的作用,对于提高OFET性能具有重要的意义。本论文首先对OFET近几十年来经历的不同发展阶段进行了综述,介绍了OFET的主要应用领域,并对OFET的发展趋势和存在的问题进行了总结。其次,总结分析了常用OFET器件的结构及其利弊,概括了制备OFET需要的各种基本材料,阐述了OFET的工作机理,载流子的注入和传输等相关理论。基于引入修饰层可以提高OFET性能,针对当前OFET的发展现状以及存在的问题,本论文将研究内容定位于制备不同界面修饰层的OFET器件,研究了各种不同修饰层对于器件性能的影响。具体的研究工作如下:（1）以无机SiO2作为OFET的绝缘层,有机材料聚甲基丙烯酸甲酯（poly（methyl methacrylate）,PMMA）为SiO2修饰层,制备了基于并五苯的OFET,研究了PMMA修饰层的浓度对于器件性能的影响。与单栅绝缘层的器件相比,经过PMMA修饰的绝缘层器件优化了有机半导体和绝缘层界面间的接触,降低了栅极漏电流。其中,PMMA浓度为10mg/mL时,得到器件的性能最高。通过利用薄的有机聚合物材料修饰高介电系数的无机绝缘层获得了器件性能的提高。（2）采用8-羟基喹啉铝（Alq3）作为有源层的修饰层,制备了基于C60的OFET器件,研究了修饰层的厚度对于器件性能的影响。随着Alq3修饰层厚度的增加,器件的性能参数有所改进。器件在10nm厚的Alq3修饰层时,场效应的迁移率达到最大值,为1.28×10-2cm2/Vs,阈值电压下降至10V。分析了引入修饰层使器件性能提高的主要原因:一方面是阻止了金属原子扩散进入到C60有机层;而另一方面可能是源于Al/C60界面间的沟道电阻降低。（3）采用LiF、Alq3以及Alq3/LiF双层作为有源层的修饰层,制备了基于C60的OFET,研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。与未加修饰层的器件相比,经过修饰器件性能具有一定的提高,其中,以Alq3/LiF为双修饰层的器件的场效应的迁移率达到最大值,为1.6×10-2cm2/Vs。根据热动力学反应关系分析表明,Alq3/LiF之间的协同作用导致电极和有源层的接触势垒降低是器件性能提高的原因。
二、Alq提纯的改进及其性质研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Alq提纯的改进及其性质研究（论文提纲范文）
（1）用于白光有机电致发光器件的含氟硅氧烷改性超支化聚合物的性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 白光OLED的发展历程 |
| 1.3 WOLED的色度指标参数 |
| 1.4 OLED发光材料的分类及分析 |
| 1.4.1 聚合物发光材料 |
| 1.4.2 超支化聚合物发光材料的研究现状 |
| 1.5 多面体倍半硅氧烷简介 |
| 1.5.1 POSS的分类及实现方法 |
| 1.5.2 POSS在 OLED中的应用 |
| 1.6 本论文研究的目的、意义和内容 |
| 1.6.1 目的和意义 |
| 1.6.2 内容 |
| 第2章 以POSS改性的己基芴为单体的白光HBP合成与性能表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验原料及测试方法 |
| 2.2.2 器件制备及表征方法 |
| 2.2.3 密度泛函理论计算 |
| 2.2.4 目标产物合成及表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 DFT calculation |
| 2.3.2 材料合成与结构表征 |
| 2.3.3 热稳定性质 |
| 2.3.4 光物理性质 |
| 2.3.5 成膜性 |
| 2.3.6 疏水性 |
| 2.3.7 电化学性质 |
| 2.3.8 电致发光性质 |
| 2.4 小结 |
| 第3章 以POSS改性壬基芴为单体的白光HBP合成与性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料及测试方法 |
| 3.2.2 器件制备及表征方法 |
| 3.2.3 目标产物合成及表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 材料合成与结构表征 |
| 3.3.2 热稳定性质 |
| 3.3.3 光物理性质 |
| 3.3.4 成膜性 |
| 3.3.5 疏水性 |
| 3.3.6 电化学性质 |
| 3.3.7 电致发光性质 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 以POSS改性十一烷基芴为单体的白光HBP合成与性能表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验原料及测试方法 |
| 4.2.2 器件制备及表征方法 |
| 4.2.3 目标产物合成及表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 材料合成与结构表征 |
| 4.3.2 热稳定性质 |
| 4.3.3 光物理性质 |
| 4.3.4 成膜性 |
| 4.3.5 疏水性 |
| 4.3.6 电化学性质 |
| 4.3.7 电致发光性质 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
（2）高效稳定的热活化延迟荧光材料及其主客体关系研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 主要符号对照表 |
| 第1章 引言 |
| 1.1 有机发光二极管概述 |
| 1.1.1 有机发光二极管发展历程 |
| 1.1.2 发光材料研究进展 |
| 1.2 热活化延迟荧光材料介绍 |
| 1.2.1 热活化延迟荧光材料发展历程 |
| 1.2.2 热活化延迟荧光材料机理 |
| 1.2.3 热活化延迟荧光材料设计策略 |
| 1.3 热活化延迟荧光材料光色及器件效率研究进展 |
| 1.4 热活化延迟荧光器件稳定性研究进展 |
| 1.4.1 热活化延迟荧光器件效率滚降和寿命衰减机理 |
| 1.4.2 染料调控提高热活化延迟荧光器件稳定性 |
| 1.4.3 主体调控提高热活化延迟荧光器件稳定性 |
| 1.4.4 器件结构调控提高热活化延迟荧光器件稳定性 |
| 1.5 当前存在的问题 |
| 1.6 论文研究思路与主要内容 |
| 第2章 实验方法与技术 |
| 2.1 主要试剂及耗材 |
| 2.2 理论计算 |
| 2.3 材料结构表征 |
| 2.4 材料物理化学性质表征 |
| 2.4.1 材料光物理性质表征 |
| 2.4.2 材料电化学性质表征 |
| 2.4.3 材料热稳定性表征 |
| 2.4.4 薄膜形貌及厚度表征 |
| 2.4.5 迁移率测试 |
| 2.5 器件制备 |
| 2.6 器件测试 |
| 第3章 基于杂原子调控的热活化延迟荧光染料及器件 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 材料设计与合成 |
| 3.3 理论计算 |
| 3.4 热稳定性表征 |
| 3.5 光物理性质表征 |
| 3.6 电学性质表征 |
| 3.7 器件性能研究 |
| 3.8 本章小结 |
| 第4章 基于三亚苯的n型主体材料及热活化延迟荧光器件 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 受体-受体型三亚苯基n型主体材料的设计与合成 |
| 4.3 理论计算 |
| 4.4 热稳定性表征 |
| 4.5 电化学性质表征 |
| 4.6 光物理性质表征 |
| 4.7 单晶结构表征 |
| 4.8 载流子传输性质表征及研究 |
| 4.9 给体-受体型三亚苯基n型主体材料的设计与合成 |
| 4.10 理论计算 |
| 4.11 热稳定性表征 |
| 4.12 薄膜形貌表征 |
| 4.13 光物理性质表征 |
| 4.14 电化学性质表征 |
| 4.15 载流子传输性质表征 |
| 4.16 器件性能研究 |
| 4.17 本章小结 |
| 第5章 基于郎之万复合的高效稳定热活化延迟荧光器件 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 分子设计与合成 |
| 5.3 单晶结构表征 |
| 5.4 理论计算 |
| 5.5 热稳定性表征 |
| 5.6 电化学性质表征 |
| 5.7 光物理性质表征 |
| 5.8 载流子传输性质表征 |
| 5.9 器件性能及机理讨论 |
| 5.10 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）可溶液加工型小分子空穴传输材料的合成及在OLEDs中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机电致发光简介 |
| 1.2.1 有机电致发光的发展现状 |
| 1.2.2 OLEDs的器件结构和发光机理 |
| 1.2.3 OLED器件性能表征 |
| 1.3 有机小分子薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 真空蒸镀法 |
| 1.3.2 溶液加工法 |
| 1.4 空穴传输材料的种类 |
| 1.4.1 成对偶联的二胺类化合物 |
| 1.4.2 星形三芳胺空穴传输材料 |
| 1.4.3 树枝状的空穴传输材料 |
| 1.4.4 螺形的空穴传输材料 |
| 1.4.5 咔唑类空穴传输材料 |
| 1.5 课题的提出和研究内容 |
| 1.5.1 课题的提出 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 叔丁基取代的空穴传输材料的合成及性能研究 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 主要原料和试剂 |
| 2.3 仪器与设备 |
| 2.4 研究内容与结果讨论 |
| 2.4.1 目标化合物的合成与结构鉴定 |
| 2.4.2 光物理性能研究 |
| 2.4.3 量子化学计算 |
| 2.4.4 热性能与薄膜性能的研究 |
| 2.4.5 电化学性能研究 |
| 2.4.6 空穴迁移率的研究 |
| 2.4.7 溶解性能的研究 |
| 2.4.8 器件性能的研究 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 非对称的小分子空穴传输材料的合成及性能研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 主要原料和试剂 |
| 3.3 仪器与设备 |
| 3.4 研究内容与结果讨论 |
| 3.4.1 目标化合物的合成与结构鉴定 |
| 3.4.2 光物理性能的研究 |
| 3.4.3 量子化学计算 |
| 3.4.4 热性能与薄膜性能的研究 |
| 3.4.5 电化学性能研究 |
| 3.4.6 空穴迁移率的测试 |
| 3.4.7 溶解性能的研究 |
| 3.4.8 器件性能的研究 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 小分子空穴传输材料在全溶液OLED器件中的应用 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 主要原料和试剂 |
| 4.3 仪器与设备 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 蒸镀器件的制备 |
| 4.4.2 全溶液器件的制备 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 附录 |
| 致谢 |
（4）用于溶液工艺发光二极管的金属氧化物界面层研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 本论文 |
| 第二章 文献综述 |
| 2.1 溶液工艺发光二极管 |
| 2.1.1 溶液工艺发光二极管的优势 |
| 2.1.2 溶液工艺发光二极管的典型器件结构 |
| 2.1.3 溶液工艺发光二极管的工作原理和界面层性质对其性能的影响 |
| 2.1.4 溶液工艺发光二极管的氧化物界面层 |
| 2.2 ZnO纳米晶薄膜电子注入层 |
| 2.2.1 高温相ZnO纳米晶的合成和性质调控 |
| 2.2.2 低温相ZnO纳米晶的合成和性质调控 |
| 2.2.3 ZnO纳米晶薄膜的光电性质 |
| 2.2.4 ZnO纳米晶薄膜在溶液工艺OLED中的应用 |
| 2.3 溶液工艺NiO_x薄膜空穴注入层 |
| 2.3.1 NiO_x薄膜的溶液制备工艺 |
| 2.3.2 溶液工艺NiO_x薄膜的光电性质 |
| 2.3.3 溶液工艺NiO_x薄膜性质调控常用的后处理方法 |
| 2.3.4 QLED的发展进程和溶液工艺NiO_x薄膜在QLED中的应用 |
| 第三章 实验方法与表征技术 |
| 3.1 实验所需试剂和材料 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 In(St)_3和In(Eh)_3前驱体的合成 |
| 3.2.2 高温相ZnO/IZO胶体纳米晶的合成、配体交换和提纯 |
| 3.2.3 前驱体初始反应速率的测量 |
| 3.2.4 OLED器件的制备与表征 |
| 3.2.5 NiO_x薄膜的制备和表面小分子层修饰 |
| 3.2.6 低温乙醇相ZnO和ZnMgO纳米晶的合成 |
| 3.2.7 单空穴器件(Hole only device)的制备 |
| 3.2.8 CdSe/CdS量子点的配体交换 |
| 3.2.9 QLEDs器件的制备 |
| 3.3 表征技术 |
| 3.3.1 透射电子显微镜(TEM) |
| 3.3.2 高角环形暗场像(HAADF) |
| 3.3.3 傅里叶变换红外光谱(FTIR) |
| 3.3.4 瞬态荧光光谱(TCSPC) |
| 3.3.5 光电子能谱(PES) |
| 3.3.6 开尔文探针(Kelvin probe) |
| 3.3.7 原子力显微镜和开尔文探针扫描显微镜(AFM&SKPM) |
| 3.3.8 发光二极管电流密度-电压-亮度(J-V-L)和效率测试系统 |
| 3.3.9 发光二极管寿命测试系统 |
| 第四章 IZO胶体纳米晶的可控合成及在OLED中的应用 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 IZO胶体纳米晶的可控合成 |
| 4.2.1 铟盐前驱体的选择 |
| 4.2.2 IZO胶体纳米晶的结构和化学性质 |
| 4.3 IZO胶体纳米晶的配体交换和光学性质 |
| 4.3.1 IZO胶体纳米晶的配体交换 |
| 4.3.2 配体交换后IZO胶体纳米晶的光学性质 |
| 4.4 IZO胶体纳米晶薄膜的制备和光电性质 |
| 4.4.1 IZO胶体纳米晶薄膜的制备 |
| 4.4.2 IZO胶体纳米晶薄膜的光电性质 |
| 4.5 以IZO胶体纳米晶薄膜为电子注入层的OLED器件 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 NiO_x薄膜的表面极性小分子修饰 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰提高功函数的物理、化学模型 |
| 5.3 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰方法的探索和优化 |
| 5.3.1 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰方法的探索 |
| 5.3.2 工艺参数对NiO_x薄膜表面极性小分子修饰效果的影响 |
| 5.4 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜的性质 |
| 5.4.1 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜的表面功函数和表面特性 |
| 5.4.2 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜表面功函数的稳定性 |
| 5.4.3 表面极性小分子修饰对NiCK薄膜淬灭作用的影响 |
| 5.5 NiO_x薄膜表面极性小分子修饰方法的普适性 |
| 5.5.1 表面极性小分子修饰在小分子选择方面的普适性 |
| 5.5.2 表面极性小分子修饰方法对不同NiO_x薄膜的普适性 |
| 5.6 表面极性小分子修饰的NiO_x薄膜的空穴注入性能 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 基于NiO_x薄膜空穴注入层的量子点发光二极管 |
| 6.1 背景介绍 |
| 6.2 Poly-TPD空穴传输层抑制NiO_x薄膜对量子点的淬灭作用 |
| 6.3 以NiO_x为HIL的QLED器件的出光率 |
| 6.4 以NiO_x为HIL的QLED器件对ITO衬底平整度的特殊要求 |
| 6.4.1 NiO_x薄膜上各功能层薄膜加工工艺的可行性 |
| 6.4.2 以NiO_x薄膜为HIL的QLED器件的电流异常 |
| 6.4.3 以NiO_x薄膜为HIL的QLED器件电流异常的原因及背后的物理过程 |
| 6.5 以NiO_x薄膜为HIL的QLED器件的性能 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 总结和展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 |
（5）八羟基喹啉基有机小分子晶体材料的制备及光电特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机半导体材料 |
| 1.2 有机半导体材料的电子结构及相关理论 |
| 1.2.1 有机半导体材料的电子结构及导电过程 |
| 1.2.2 分子轨道理论 |
| 1.2.3 配位场理论 |
| 1.2.4 能带理论 |
| 1.2.5 有机材料中的电子能级 |
| 1.3 有机小分子半导体中光与物质的相互作用过程 |
| 1.4 有机小分子一维单晶微/纳米结构研究现状 |
| 1.4.1 一维纳米线和棒 |
| 1.4.2 微/纳米管 |
| 1.5 有机半导体材料的应用 |
| 1.5.1 有机半导体材料在有机自旋电子学上的应用 |
| 1.5.2 有机纳米管在生物医学领域的应用 |
| 1.6 拟开展的研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 样品制备和测试分析方法 |
| 2.1 八羟基喹啉铝(Tris-8-hydroxyquinolinato aluminum,Alq_3) |
| 2.1.1 合成与提纯 |
| 2.1.2 八羟基喹啉铝(Alq_3)的理化特性 |
| 2.2 八羟基喹啉镓(Tris-8-hydroxyquinolinato gallium,Gaq_3) |
| 2.2.1 合成与提纯 |
| 2.2.2 八羟基喹啉镓(Gaq_3)的理化特性 |
| 2.3 晶体制备方法与装置介绍 |
| 2.3.1 物理气相沉积法(physical vapor deposition,PVD) |
| 2.3.2 溶液自组装法(self-assemble in solution phase) |
| 2.3.3 其他生长有机单晶材料的方法 |
| 2.4 测试分析方法 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.4.2 高分辨场发射扫描电镜分析(SEM) |
| 2.4.3 俄歇电子能谱(AES) |
| 2.4.4 紫外-可见-近红外分光光度计(UV-VIS-NIR spectrophotometer) |
| 2.4.5 傅里叶红外光谱仪 |
| 2.4.6 拉曼光谱 |
| 2.4.7 光致发光(photoluminescence,PL) |
| 2.4.8 超导量子干涉磁强计(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID) |
| 参考文献 |
| 第三章 PVD法制备的ε相八羟基喹啉铝单晶与性质表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 ε-Alq_3晶体的单晶衍射分析 |
| 3.3.2 ε-Alq_3晶体的表面形貌分析 |
| 3.3.3 ε-Alq_3晶体的光致发光性质 |
| 3.3.4 ε-Alq_3晶体材料的光学带隙 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 八羟基喹啉铝纳米颗粒、棒和管的可控制备与性质表征 |
| 4.1 Alq_3纳米颗粒的制备与表征 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 实验过程 |
| 4.1.3 结果与讨论 |
| 4.1.4 小结 |
| 4.2 Alq_3微/纳米棒的制备与表征 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 实验过程 |
| 4.2.3 结果与讨论 |
| 4.2.4 小结 |
| 4.3 Alq_3微/纳米管的制备与表征 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 实验过程 |
| 4.3.3 结果与讨论 |
| 4.3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 PVD法制备的八羟基喹啉镓微纳米棒与性质表征 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 八羟基喹啉镓微/纳米管的可控制备与表征 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验过程 |
| 6.2.1 材料 |
| 6.2.2 Gaq_3管的合成过程 |
| 6.2.3 测试 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 展望 |
| 附图、表目录及说明 |
| 攻读博士期间发表的论文、申请的专利目录及获奖情况 |
| 发表论文 |
| 申请专利 |
| 获奖情况 |
| 致谢 |
| 附录：发表英文论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（6）聚集诱导高效荧光环状硅杂环戊二烯衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 前言 |
| 1.1 硅杂环戊二烯衍生物的合成方法研究进展 |
| 1.1.1 基本概念与研究背景 |
| 1.1.2 硅杂环戊二烯的合成方法 |
| 1.1.2.1 二苯乙炔的还原二聚作用 |
| 1.1.2.2 二炔硅烷的分子内环化 |
| 1.1.2.3 过渡金属试剂催化反应 |
| 1.1.3 硅杂环戊二烯衍生物的合成方法 |
| 1.1.3.1 硅杂环戊二烯上硅原子上的反应 |
| 1.1.3.2 硅杂环戊二烯上碳原子上的反应 |
| 1.2 含有硅杂环戊二烯的齐聚物和聚合物的合成方法研究进展 |
| 1.2.1 硅杂环戊二烯 1,1 位和 2,5 位聚合的齐聚物 |
| 1.2.2 硅杂环戊二烯 2,5 位聚合的高聚物 |
| 1.2.3 含有硅杂环戊二烯作为侧链的高分子及高支化聚合物 |
| 1.2.4 聚苯并硅杂环戊二烯及其梯形聚合物 |
| 1.2.5 含有硅芴的高聚物 |
| 1.3 硅杂环戊二烯衍生物的光物理性能研究进展 |
| 1.3.1 紫外吸收、荧光发射、荧光寿命与量子产率 |
| 1.3.2 硅杂环戊二烯衍生物的聚集诱导发光及其应用 |
| 1.4 环硅氧烷单体的合成及其开环聚合 |
| 1.4.1 环硅氧烷单体的合成 |
| 1.4.2 环硅氧烷的开环聚合 |
| 1.5 本论文的研究目的和主要研究内容 |
| 第2章 反应合成与研究测试方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 化学反应试剂与合成设备 |
| 2.2.1 反应试剂 |
| 2.2.2 反应合成设备 |
| 2.3 反应初始原料的合成与分离提纯 |
| 2.3.1 9,9-二氯-9-硅芴的合成与分离提纯 |
| 2.3.2 9,9-二氯-1,3-二苯基-9-硅芴的合成与分离提纯 |
| 2.3.3 1,1-二氯-2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯的合成与分离提纯 |
| 2.3.4 1,1-二羟基-2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯的合成与分离提纯 |
| 2.4 产物的表征测试设备与方法 |
| 2.4.1 熔点、化学元素分析（C、H）、质谱 |
| 2.4.2 核磁（1H NMR、13C NMR、29Si NMR）与傅里叶红外 |
| 2.4.3 单晶分子结构表征 |
| 2.4.4 紫外吸收、荧光发射、荧光激发光谱 |
| 2.4.5 聚集诱导发光 |
| 2.4.6 溶液相对荧光量子产率 |
| 2.4.7 固态绝对荧光量子产率 |
| 2.4.8 单晶结构分子堆积排列与相互作用 |
| 2.4.9 分子轨道与激发单重态化学理论计算 |
| 2.4.10 聚合物室温凝胶渗透色谱 |
| 第3章 含硅芴的环硅氧烷衍生物的合成、表征及其光物理性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验合成与产物结构表征 |
| 3.2.1 含硅芴的环硅氧烷衍生物的合成 |
| 3.2.2 含硅芴的环硅氧烷衍生物的结构表征 |
| 3.2.2.1 核磁与质谱 |
| 3.2.2.2 单晶分子结构 |
| 3.3 含硅芴的环硅氧烷衍生物的光物理性能结果与讨论 |
| 3.3.1 紫外吸收与荧光发射 |
| 3.3.2 含硅芴的环硅氧烷衍生物的单晶分子堆积与排列 |
| 3.3.3 含硅芴的环硅氧烷衍生物的化学理论计算 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 含 2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的合成、表征及其光物理性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验合成与产物结构表征 |
| 4.2.1 含 2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的合成 |
| 4.2.2 含 2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的结构表征 |
| 4.2.2.1 核磁、红外与质谱 |
| 4.2.2.2 单晶分子结构 |
| 4.3 含 2,3,4,5-四苯基硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的光物理性能 |
| 4.3.1 紫外吸收与荧光发射 |
| 4.3.2 单晶分子堆积与排列 |
| 4.3.3 化学理论计算 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 含硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的合成、表征及其光物理性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验合成与产物结构表征 |
| 5.2.1 含硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的合成 |
| 5.2.2 含硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的结构表征 |
| 5.2.2.1 核磁、红外与质谱 |
| 5.2.2.2 单晶分子结构 |
| 5.3 含硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的光物理性能结果与讨论 |
| 5.3.1 紫外吸收与荧光发射 |
| 5.3.2 含硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的单晶分子堆积与排列 |
| 5.3.3 含硅杂环戊二烯的环硅氧烷衍生物的化学理论计算 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 固态荧光量子产率 ~100%的硅杂环戊二烯类衍生物的合成、表征及其光物理性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 固态荧光量子产率~100%的 |
| 6.2.1 四苯基硅杂环戊二烯类环状衍生物的合成及表征 |
| 6.2.1.1 反应合成 |
| 6.2.1.2 核磁、红外与质谱 |
| 6.2.1.3 单晶分子结构 |
| 6.2.2 四苯基硅杂环戊二烯类环状衍生物的光物理性能 |
| 6.2.2.1 紫外吸收与荧光发射 |
| 6.2.2.2 单晶分子堆积与排列 |
| 6.2.2.3 分子轨道与单重激发态理论化学计算 |
| 6.3 固态荧光量子产率小于 100%的硅芴-ALQ2类衍生物 |
| 6.3.1 含硅芴-AlQ2类衍生物的合成及表征 |
| 6.3.2 含硅芴-AlQ2类衍生物的光物理性能 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 环硅氧烷的开环聚合及其应用 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 含硅芴的环硅氧烷的开环聚合 |
| 7.3 环硅氧烷开环共聚及其在阻尼硅橡胶中的应用 |
| 7.3.1 侧链含氮聚硅氧烷的合成 |
| 7.3.2 含氮硅橡胶的阻尼性能 |
| 7.4 小结 |
| 第8章 结论与展望 |
（7）8-羟基喹啉铝的制备与应用的研究进展（论文提纲范文）
| 1 8-羟基喹啉铝的制备与结构 |
| 1.1 8-羟基喹啉铝的制备 |
| 1.2 8-羟基喹啉铝的提纯 |
| 1.3 一种发蓝色光的8-羟基喹啉铝的制备 |
| 1.4 8-羟基喹啉铝的结构表征 |
| 2 8-羟基喹啉铝的老化 |
| 3 应用 |
| 4 展望 |
（8）位阻型芴基发光材料的设计、合成及其应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 综述 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 主体材料在 PhOLEDS 的应用及其研究进展 |
| 1.2.1 聚合物主体材料 |
| 1.2.2 小分子主体材料 |
| 1.3 客体材料在 PhOLEDs 的应用及其研究进展 |
| 1.4 本论文的设计思想 |
| 参考文献 |
| 第二章 9-羟基-9-(2-吡啶基)芴的傅克反应构建主体发光材料的合成及光电性质研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 主要药品和试剂 |
| 2.2.2 主体材料的合成与表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 9-羟基-9-(2-吡啶基)芴的傅克反应 |
| 2.3.2 主体材料的光物理性质 |
| 2.3.3 主体材料的电化学性质 |
| 2.3.4 主体材料的热稳定性分析 |
| 2.3.5 基于主体材料的电致发光器件性质 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 螺氧杂蒽/喹啉双极性分子的合成及光电性质研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 主要药品和试剂 |
| 3.2.2 主体材料的合成与表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 双极性螺 9,9-氧杂蒽芴-喹啉体系的光物理性质 |
| 3.3.2 双极性螺 9,9-氧杂蒽芴-喹啉化合物的电化学性质 |
| 3.3.3 主体材料的热稳定性分析 |
| 3.3.4 双极性喹啉-螺-9,9-氧杂蒽芴的电致发光器件性质 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 含 Ir(III)的三维有机金属螺环磷光材料的合成及光电性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 主要药品和试剂 |
| 4.2.2 主体材料的合成与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 合成与讨论 |
| 4.3.2 螺功能化有机铱(III)配合物的光物理性质 |
| 4.3.3 螺功能化有机铱(III)配合物的电化学性质 |
| 4.3.4 螺功能化有机铱(III)配合物的热稳定性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 含铂(II)的三维螺环材料的合成及光电性质研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 主要药品和试剂 |
| 5.2.2 主体材料的合成与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 合成与讨论 |
| 5.3.2 金属螺环铂(II)配合物的光物理性质 |
| 5.3.3 金属螺环铂(II)配合物的电化学性质 |
| 5.3.4 金属螺环铂(II)配合物的热稳定性分析 |
| 5.3.5 金属螺环铂(II)配合物的电致发光性质 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 论文主要结论 |
| 博士期间发表论文情况 |
| 致谢 |
| 附录：部分化合物的 NMR 和质谱图 |
（9）几种有机分子包埋纳米粒子薄膜的制备及电学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 有机双稳态器件的研究进展 |
| 1.2 电学双稳态薄膜器件的结构 |
| 1.2.1 多层结构 |
| 1.2.2 掺杂结构 |
| 1.3 输运模型 |
| 1.3.1 欧姆传导 |
| 1.3.2 Fowler-Nordheim隧穿 |
| 1.3.3 Thermionic Emission效应 |
| 1.3.4 法兰克-普尔发射(Poole-Frankel Emission) |
| 1.3.5 空间电荷限制电流效应(SCLC) |
| 1.4 有机功能层的制备方法 |
| 1.4.1 旋涂法 |
| 1.4.2 真空喷射法 |
| 1.4.3 浸涂法 |
| 1.4.5 热蒸发法 |
| 1.4.6 自组装成膜 |
| 1.5 论文的选题依据和研究的主要内容 |
| 1.6 本论文的主要工作 |
| 第2章 PMMA包埋纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.1.1 纳米粒子的制备方法 |
| 2.2 Au纳米粒子的制备与表征 |
| 2.2.1 薄膜制备所用的设备与器材 |
| 2.2.2 薄膜的制备 |
| 2.2.3 薄膜样品的表征手段 |
| 2.2.4 Au纳米粒子TEM图像 |
| 2.2.5 电学特性 |
| 2.3 PMMA包埋Au纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 2.3.1 薄膜的制备 |
| 2.3.2 Au纳米粒子浓度对薄膜特性的影响 |
| 2.3.3 薄膜层数对薄膜特性的影响 |
| 2.3.4 退火温度对薄膜特性的影响 |
| 2.3.5 PMMA-Au系统第一性原理计算 |
| 2.4 PMMA包埋TiO_2纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 2.4.1 纳米粒子的制备 |
| 2.4.2 薄膜的表征 |
| 2.5 PMMA包埋NiO纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 2.5.1 薄膜的制备 |
| 2.5.2 薄膜的表征 |
| 2.6 PMMA包埋NiTiO纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 2.6.1 薄膜的制备 |
| 2.6.2 薄膜的表征 |
| 2.7 PMMA包埋NiSnO纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 2.7.1 薄膜的制备 |
| 2.7.2 薄膜的表征 |
| 2.8 本章小结 |
| 第3章 Alq3包埋纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 3.1 Alq3包埋Au纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 3.1.1 薄膜的制备 |
| 3.1.2 Au纳米粒子浓度对薄膜特性的影响 |
| 3.1.3 不同膜层结构对薄膜特性的影响 |
| 3.2 Alq3包埋NiO纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 3.2.1 薄膜的制备 |
| 3.2.2 薄膜的表征 |
| 3.3 Alq3包埋NiTiO纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 3.3.1 薄膜的制备 |
| 3.3.2 薄膜的表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 PMMA：Alq3包埋纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 PMMA和Alq3复合薄膜的制备与表征 |
| 4.2.1 薄膜的制备 |
| 4.2.2 薄膜的表征 |
| 4.3 PMMA：Alq3包埋Au纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 4.3.1 薄膜的制备 |
| 4.3.2 Au纳米粒子浓度对薄膜特性的影响 |
| 4.3.3 不同膜层结构对薄膜特性的影响 |
| 4.4 PMMA：Alq3包埋NiTiO纳米粒子薄膜的制备与表征 |
| 4.4.1 薄膜的制备 |
| 4.4.2 薄膜的表征 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
（10）界面修饰对有机场效应管性能影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 OFET 的研究意义及研究进展 |
| 1.3 OFET 的应用 |
| 1.4 OFET 存在的问题及发展前景 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 第二章 OFET 的基本工作原理 |
| 2.1 OFET 的基本结构 |
| 2.2 OFET 的材料 |
| 2.3 OFET 的工作原理 |
| 2.4 OFET 中的载流子注入和传输理论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 栅绝缘层修饰对OFET 器件性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 基于PMMA 为栅绝缘层修饰材料的OFET 的制备 |
| 3.3 器件性能测试及结果分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 8-羟基喹啉铝作为修饰层提高C60 OFET 性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于不同厚度Alq3 修饰层的OFET 的制备 |
| 4.3 器件性能测试与结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 修饰层对C60 OFET 性能影响的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 基于不同修饰层OFET 的制备 |
| 5.3 器件性能测试及结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 本论文的特色与创新之处 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
四、Alq提纯的改进及其性质研究（论文参考文献）
- [1]用于白光有机电致发光器件的含氟硅氧烷改性超支化聚合物的性能研究[D]. 王米穴. 太原理工大学, 2021(02)
- [2]高效稳定的热活化延迟荧光材料及其主客体关系研究[D]. 蔡明瀚. 清华大学, 2020(01)
- [3]可溶液加工型小分子空穴传输材料的合成及在OLEDs中的应用[D]. 吴森. 天津大学, 2019(06)
- [4]用于溶液工艺发光二极管的金属氧化物界面层研究[D]. 梁骁勇. 浙江大学, 2018(01)
- [5]八羟基喹啉基有机小分子晶体材料的制备及光电特性研究[D]. 谢万峰. 山东大学, 2016(10)
- [6]聚集诱导高效荧光环状硅杂环戊二烯衍生物的合成、表征及其光物理性能的研究[D]. 蔡元婧. 武汉理工大学, 2015(01)
- [7]8-羟基喹啉铝的制备与应用的研究进展[J]. 贾梦鑫,张颂培. 广州化工, 2013(23)
- [8]位阻型芴基发光材料的设计、合成及其应用[D]. 赵祥华. 南京邮电大学, 2013(06)
- [9]几种有机分子包埋纳米粒子薄膜的制备及电学特性研究[D]. 简晓慧. 东北大学, 2013(03)
- [10]界面修饰对有机场效应管性能影响的研究[D]. 郑宏. 天津理工大学, 2011(12)