一、光学镀膜用大束密均匀区离子源（论文文献综述）
吴一帆[1]（2019）在《HL-2A装置束发射谱诊断研制及高约束模下边缘湍流的实验研究》文中认为在磁约束聚变等离子体中,微观湍流及其引起的反常输运是限制等离子体约束性能的重要因素之一。具有高时空分辨能力的二维诊断系统对于微观湍流的研究大有裨益。本人博士期间在HL-2A装置上研制了一套二维、多通道的束发射谱（Beam Emission Spectroscopy,BES）诊断系统,并使用二维BES诊断对HL-2A及DⅢ-D装置高约束放电模式下边缘湍流的特征进行了实验研究。HL-2A上BES系统通过测量中性束与等离子体碰撞后辐射出的特征谱线（Dα线）的强度扰动,给出二维空间内电子密度的涨落信息。BES系统包括收集光路、传输光路、光电转换和数据采集几大部分,设计时充分结合HL-2A装置的位形及参数特征。诊断窗口位于中性束左侧下方,沿磁力线切向方向斜向上观察中性束。抗辐射、高通过性的镜头组由直径18cm物镜和10cm目镜构成,安装在真空室内,以4:1倍率将径向r=12cm～44cm,极向z=-7.5cm～7.5cm的二维空间成像于BES窗口外侧。BES窗口外侧的二维光纤支架覆盖整个像面,方便光纤束的固定及排布。高度定制化的多模石英光纤束作为高效的传输光路,光纤的数值孔径高达0.37,传输效率高于95%。光电转换系统中使用2 nm窄带滤波片筛选目标谱线;选用带PIN结的光电二极管探测器（PPD）将光信号转换为电流信号,并由四级放电电路转换为电压信号并放大;合适的冷却保证光电转换系统实现低噪声、高量子效率的测量。多通道同步采集系统以2MHz的速率对所有信号进行数字化、采集并存储至数据库。BES系统的发展经历了三个阶段:第一阶段安装光路并与16通道探测器构成了原型系统,实际测试验证了设计合理;第二阶段在原型系统基础上改善了光纤及光纤支架的设计,并将系统拓展至32个通道,实现了湍流的二维测量;第三阶段完成首创的集成式探测器的加工和测试,信噪比和带宽进一步提升,系统也升级至48通道。在HL-2A装置上,32通道的BES系统在L-H转换前清楚观测到二维湍流结构及其随时间的演化情况。在DⅢ-D装置Super H模放电中,二维BES诊断系统在台基顶部观测到频率为60kHz～200kHz离子侧湍流和300kHz～450kHz的电子侧宽频湍流。利用BES诊断计算出两种模式的相关长度、极向速度等特征参数,结合回旋动理学程序GYRO的模拟结果分析,低频模式应为离子温度梯度模（Ion Temperature Gradient Mode）,而高频模式可能为微撕裂模（Micro-tearing Mode）。目前HL-2A装置上的BES诊断系统已经拓展至48通道,具备了二维湍流测量的能力。系统时间分辨为0.5μs,径向空间分辨为1cm,极向分辨为1.2cm;对于中频段20～100kHz的湍流,系统的信噪比达到100,而有效的频率测量带宽为200kHz。这样的性能处于先进水平,能够为HL-2A上L-H转换、湍流能量传递、湍流与带状流的相互作用等物理问题的研究提供有效的实验数据支撑。二维BES诊断在HL-2A和DⅢ-D装置上高约束模式下湍流的研究结果,有助于理解湍流与台基区物理以及与约束改善的关系,可为未来的高约束放电提供指导。
邹林[2]（2014）在《基于霍尔效应电流传感器的离子电流测试系统设计研发》文中提出在镀膜领域中,离子源的辅助能极大地提高薄膜性能,为探究离子源与基片表面相互作用机理,对离子束性质的研究成为人们的研究热点。其中,离子电流作为离子束诸多研究方向当中的重点,备受人们的关注。检测离子电流的方法也由此发展而来,出现了探针法、霍尔电流传感器法、罗果夫斯基线圈法等诸多方法。然而,由于形成离子束的等离子体内部各个粒子间相互作用,导致其放电反应类型较复杂,因此需要利用等离子体诊断的方法进行离子束性质的诊断来判断其放电反应类型。作者在研究了离子源的种类和测试离子电流的方法,并对等离子体性质进行了分析后确定了本文的研究内容。本文基于霍尔效应原理设计研发霍尔效应电流测试系统,利用该系统分别检测了Ar、O2、2N2三种气体阳极层离子源在气压0.1Pa,离子源工作功率250W,气体流量10sccm条件下,分别将其中一个作为变量的离子束流密度,对电流检测结果用发射光谱进行了分析,分析表明,虽然由于电流收集位置的限制,导致霍尔电流传感器测试系统收集到的电流远小于离子源阳极电流,但是,该测试系统对于不同离子源电流的变化趋势的测定与阳极电流变化趋势符合较好。结果表明,在气体流量为2-20sccm,气压0.1-0.6Pa,离子源工作功率为10-400W的条件下,利用霍尔效应电流传感器可以进行离子电流的检测,并且结果符合较好。
朱昌,王稳奇[3]（2009）在《清洗刻蚀源的均匀性分析》文中认为为了研制具有高性能的离子源,进而获得高质量的加工工艺,用自制的法拉第筒对清洗刻蚀源均匀性进行了测试,分析了影响离子束均匀性的主要因素,并采用清洗刻蚀离子源进行氩离子束刻蚀.实验结果表明:采用双圈发射型结构比采用单圈结构所得到的离子束密均匀性要好,在一定范围内减小阳极放电电压、减小出口束流、增大距源出口中心距离均可导致出口束密均匀性的提高,离子束刻蚀Cu膜表面粗糙度与离子束密空间分布均匀性紧密相关,目前可达到的最优表面粗糙度值为1.0678 nm.
赵杰,唐德礼,程昌明,耿少飞[4]（2009）在《低功率圆柱形阳极层离子源的性能研究》文中进行了进一步梳理介绍了一种低功率圆柱形阳极层离子源的工作特性和束流分布特性。离子源正常工作参数范围为工作电压200～1200V,放电电流0.1～1.4A,工作气压1.9×10-2～1.7×10-1Pa,气体流量5～20sccm。离子源有两个工作状态:发散状态和准直性状态。
赵印中,许旻,李林,何延春,王洁冰,吴春华,邱家稳[5]（2008）在《离子束清洗对光学太阳反射镜（OSR）性能的影响研究》文中认为主要通过调整离子束清洗时间、清洗气氛、清洗功率（电流）等工艺参数,并结合OSR的膜层附着力测试以及光学性能测试,研究了离子束清洗各工艺参数对OSR性能的影响。结果表明,离子束清洗可以显着提高OSR的膜层附着力。
赵印中,许旻,李林,何延春,王洁冰,吴春华,邱家稳[6]（2008）在《磁控溅射法制备高反射铝膜》文中研究指明通过先后调整溅射沉积时间、溅射功率以及溅射气压等镀膜参数,然后结合所镀样品的反射率测量,分析了镀膜参数对铝膜反射率的影响;通过调整不同的离子束清洗时间,结合所镀样品的太阳光谱反射率测量以及附着力测试,研究了离子束清洗对铝膜性能的影响。结果表明,在这些影响因素中离子束清洗对铝膜性能的影响很大。
王稳奇,朱昌[7]（2008）在《清洗刻蚀源的磁场分析》文中指出一个离子源中电磁场的设计好坏与否决定了这个离子源工作的好坏,为此,本文着重分析介绍了一个适用于清洗和刻蚀用的大束密均匀区双发射离子束源的磁场计算、结构及其工作原理,根据磁路理论,并利用Quickfield二维有限元分析软件对电磁场分布进行模拟,计算结果满足了离子源对电磁场的设计要求。
张光勇[8]（2007）在《介质单层膜光学特性及多层膜表面缺陷的研究》文中指出介质薄膜材料在光学、电子学等领域有着广泛的应用,Ta2O5薄膜材料更是其中一个热点。Ta2O5广泛应用于各种光学薄膜,如光学平板显示、光纤通信、分析仪器用滤光片等。本文对Ta2O5单层介质膜光学特性以及由TiO2/SiO2组成的多层膜的表面缺陷作了较深入的研究。采用正交实验法,得到了Ta2O5光学薄膜的最佳工艺参数。若要在近紫外区获得透射率高的Ta2O5薄膜,最佳工艺参数为基片温度250℃、沉积速率5（?）/s、离子源氧气流量为14sccm:而在近红外区为基片不加烘烤、沉积速率5（?）/s或者7（?）/s、离子源氧气流量为18sccm。工艺参数对薄膜光学性能影响的主次为:基片温度,离子源氧气流量,沉积速率。采用分光光度计、原子力显微镜等系统地研究了基片温度、薄膜厚度等对薄膜光学性能、微观结构性能的影响。结果表明:基片温度越高,薄膜折射率越高。基片温度的提高对降低Ta2O5薄膜的表面粗糙度具有显着的效果。随着膜层厚度的增加,薄膜透射率极大值呈下降趋势,这表明膜层中吸收增加,但此时折射率变化不大。此外,厚度增加,薄膜均方根粗糙度增加。这是由于不同基片温度下膜层生长模式不同造成的。采用光电子能谱（XPS）分析技术对薄膜的化学成分进行分析,薄膜的化学成分为Ta2O5、TaOx（1<x<2.5）、TaO,各自相对含量比为52.5:43.9:3.7;薄膜中O/Ta原子比为2.69。采用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱分析技术对红外截止滤光片表面的缺陷进行研究。成功观测到红外截止滤光片表面的缺陷各种类型,主要为:凹坑、节瘤、杂质缺陷等。其中凹坑是红外截止滤光片实际生产过程中黑点不良的主要原因。而膜层表面所形成的粒度分布为2～10μm的节瘤、针孔、凹坑,以及镀膜前基片和镀膜过程中、结束后所形成的杂质缺陷是红外截止滤光片的亮点形成的主要原因。黑点实质多为膜层表面孔洞,来源于镀膜前基片表面残留异物的污染,在镀膜过程中发生脱落形成;亮点的形成多为镀膜前或镀膜过程中种子的存在所导致形成的包裹物缺陷,以及镀膜后膜层表面异物的污染。本文对于Ta2O5薄膜的制备以及介质薄膜光学特性研究具有重要的参考价值;对多层膜表面缺陷的类型、成因进行了深入研究分析,对于多层膜的应用研究及其实际生产具有重要的指导意义。
查家明[9]（2007）在《宽波段分色膜研制》文中认为根据某型号产品车长镜对宽波段分色膜的实际需要,利用膜系特征矩阵对分色膜膜系结构进行分析,指出了常用的全介质长（短）波通滤光膜为膜系初始结构的不可行性和采用介质一非介质复合结构的必要性。依据诱导增透原理并参考了太阳能薄膜的结构,进行了以金属为主体的复合结构膜系设计,并使用TFCalc光学薄膜设计软件进行优化。在薄膜的制备过程中,采取高蒸发速率和低沉积速率的措施,使得极薄银膜的光学常数和厚度得到了有效的控制;利用离子束辅助镀膜技术,提高改善了膜系的镀制工艺。通过多次试验,宽波段分色膜虽然没有完全达到设计指标,但基本上能够满足产品的功能要求。在宽波段分色膜研制过程中,也暴露出了介质膜-金属膜-介质膜结构存在的一些问题,如透射区的拓宽是以牺牲透射率和红外反射率为代价,同时对环境的适应性也不十分理想,还需要进一步开展工作。
闫斌[10]（2007）在《宽带光学薄膜消色差相位延迟器研究》文中研究表明相位延迟器是偏光器件中的一个重要组成部分，它能使透过它的振动方向相互垂直的两束光波彼此之间产生一定的相位差，是一类重要的光学器件。相位延迟器同其它偏光器件相配合，可以实现光的各种偏振态的相互转换、偏振面的旋转以及各类光波的调制。目前应用较多的是λ／4波片和λ／2波片，λ／4波片（产生90°的相位延迟）常用来将线偏振光转换成圆偏振光或椭圆偏振光，亦或将椭圆偏振光转变成线偏振光；λ／2波片（产生180°的相位延迟）可以将线偏振光的偏振面旋转。可以说几乎所有应用偏光技术的地方都离不开相位延迟器。常规相位延迟器是由双折射材料制成的，由于材料的双折射率同波长密切相关，使其产生的相位延迟量也同波长具有严格的对应关系，因而常规相位延迟器多用于单一波长，这给使用中带来诸多不便。而消色差相位延迟器大大消弱了延迟量对波长的依赖关系，可以用于较大的光谱范围。消色差相位延迟器，根据设计的机理不同可分成两大类：双折射型消色差相位延迟器和全内反射型消色差相位延迟器。双折射型消色差相位延迟器是由特殊的双折射材料鱼眼石加工制做的，在自然界中存在的具有光学品味的鱼眼石极为稀少，目前尚未发现有其它材料可以代替鱼眼石，故难以推广使用。另外可由两种或三种双折射材料组合构成消色差相位延迟器，但由于对组合单元的每一种材料，其厚度均要求有较高的精度，这给制作带来很大难度。全内反射型消色差相位延迟器是根据全反射相变理论设计的一类菱体型相位延迟器。目前这类器件的结构大致有以下几类：（1）菲涅耳菱体（2）穆尼菱体（3）直角棱镜复合菱体（4）消色差器1（AD-1）和消色差器2（AD-2）（5）斜入射菱体型等。全内反射型相位延迟器是一类简单、稳定的消色差相位延迟器，其中菲涅耳菱体型消色差相位延迟器的应用较多。虽然全内反射型消色差相位延迟器比双折射型相位延迟器具有更好的消色差性，但随着激光技术的发展，人们对延迟精度以及消色差性提出了更高的要求。对介质薄膜的光学特性的研究到本世纪六十年代已基本完备，并形成了薄膜光学这一光学中的新学科。七十年代，国际上对光学薄膜的偏振特性及其在偏振光学元件上的应用的研究报道逐渐增多，此种势头一直持续到九十年代，近几年来此领域研究活动仍十分活跃。由于光学介质膜在倾斜入射时可以等效为一个二向色性线偏振器和一个位相延迟器，所以可以通过在延迟器件表面蒸镀光学介质膜的方法来提高延迟器件的延迟精度。反射式介质膜光学相位延迟器件，是指用反射而不用透射的方法使反射偏振光的两个互相正交的分量之间产生一定位相差的器件。本论文先从薄膜光学的发展历史出发，介绍了薄膜光学从创立到最近的发展情况。介绍了薄膜光学的电磁理论基础—麦克斯韦方程，然后介绍了膜系设计的两种基本方法，矢量法和导纳匹配法。第三章首先介绍了全反射相变理论，这是全内反射型相位延迟器的理论基础，然后对于入射光在薄膜与基底分界面上发生全反射时产生的相位延迟进行了理论推导。这是入射光在镀膜型相位延迟器上发生全反射时产生相位延迟的理论基础之一。第四章选用了两种玻璃材料，运用第二章的公式对材料进行了设计，得出了对于给定材料相位延迟量最稳定的结构角。对两个菲涅耳菱体型相位延迟器进行了加工制作，测试了未镀膜时器件的延期量与入射光波长之间的变化关系。通过膜系设计软件对菲涅耳菱体型相位延迟器进行膜系设计，在韩国的Alphaplus，MLEB900镀膜机上对样品进行加工，最后用搭建的试验装置测试样品的相位延迟量，测试结果表明对样品的理论设计符合要求。本论文的创新点主要集中在第四章，对Lak2和Zbaf3玻璃为基底的两种菱体λ／2全介质光学薄膜相位延迟器的优化设计与误差分析。
二、光学镀膜用大束密均匀区离子源（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、光学镀膜用大束密均匀区离子源（论文提纲范文）
（1）HL-2A装置束发射谱诊断研制及高约束模下边缘湍流的实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 引言 |
| 1.1 核聚变 |
| 1.2 磁约束聚变 |
| 1.3 托卡马克 |
| 1.4 ITER计划 |
| 第2章 等离子体物理湍流 |
| 2.1 等离子体约束及输运 |
| 2.1.1 经典输运 |
| 2.1.2 新经典输运 |
| 2.1.3 反常输运 |
| 2.2 漂移波湍流 |
| 2.3 带状流 |
| 2.4 研究现状 |
| 第3章 束发射谱诊断现状 |
| 3.1 湍流诊断 |
| 3.2 湍流数据分析 |
| 3.3 束发射谱诊断原理 |
| 3.3.1 物理原理 |
| 3.3.2 工程原理 |
| 3.3.3 性能指标 |
| 3.4 束发射谱诊断研究进展 |
| 3.4.1 国际进展 |
| 3.4.2 国内进展 |
| 3.5 BES诊断数据分析方法 |
| 第4章 HL-2A上束发射谱诊断研制 |
| 4.1 整体设计 |
| 4.1.1 装置介绍 |
| 4.1.2 BES设计要求 |
| 4.1.3 BES系统总体设计 |
| 4.2 16道原型测试系统 |
| 4.3 中性束衰减计算 |
| 4.4 32道BES系统 |
| 4.5 二维探测器升级 |
| 4.5.1 系统设计 |
| 4.5.2 实验室测试 |
| 4.6 48道BES系统 |
| 第5章 基于BES高约束模中湍流研究 |
| 5.1 HL-2A上二维湍流 |
| 5.2 DⅢ-D上SH模相关湍流 |
| 5.2.1 DⅢ-D装置 |
| 5.2.2 超高模式(Super H mode)放电 |
| 5.2.3 BES对边缘湍流的研究 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（2）基于霍尔效应电流传感器的离子电流测试系统设计研发（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 离子束辅助镀膜的研究现状 |
| 1.2.2 离子电流的研究现状 |
| 1.3 本论文研究目的和主要内容 |
| 1.3.1 论文研究目的 |
| 1.3.2 论文主要内容 |
| 第二章 离子束电流 |
| 2.1 等离子体 |
| 2.1.1 等离子体的概念 |
| 2.1.2 等离子体的性质 |
| 2.1.3 等离子体的分类 |
| 2.1.4 等离子体的应用 |
| 2.2 离子源的种类 |
| 2.2.1 考夫曼离子源 |
| 2.2.2 射频离子源 |
| 2.2.3 霍尔离子源 |
| 2.2.4 线性离子源 |
| 2.3 电流检测方法 |
| 2.3.1 分流器法 |
| 2.3.2 罗果夫斯基(Rogowski)线圈法 |
| 2.3.3 探针法 |
| 2.3.4 光学电流传感器 |
| 2.3.5 霍尔效应电流传感器 |
| 本章小结 |
| 第三章 霍尔效应电流检测系统 |
| 3.1 磁控溅射真空镀膜系统 |
| 3.1.1 磁控溅射原理 |
| 3.1.2 磁控溅射法的分类 |
| 3.1.3 磁控溅射设备 |
| 3.2 霍尔效应电流传感器的原理 |
| 3.3 离子电流检测系统的设计 |
| 3.4 等离子体性质诊断的意义 |
| 3.5 等离子体诊断方法 |
| 3.5.1 静电探针法 |
| 3.5.2 质谱法 |
| 3.5.3 微波诊断法 |
| 3.5.4 光谱法 |
| 本章小结 |
| 第四章 霍尔效应电流传感器测离子电流 |
| 4.1 实验条件 |
| 4.2 Ar离子源放电诊断 |
| 4.3 O_2离子源放电诊断 |
| 4.4 N_2离子源放电诊断 |
| 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）低功率圆柱形阳极层离子源的性能研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 阳极层离子源的结构与性能 |
| 2.1 阳极层离子源的结构 |
| 2.2 阳极层离子源的工作特性 |
| 3 离子束特性研究 |
| 3.1 离子束总电流测试 |
| 3.2 离子束电流的径向分布 |
| 4 结论 |
（5）离子束清洗对光学太阳反射镜（OSR）性能的影响研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 实验 |
| 2.1 离子束清洗原理及装置 |
| 2.2 实验过程 |
| 2.3 OSR膜层附着力的评价方法以及光学性能测试方法 |
| 2.3.1 膜层附着力的评价方法 |
| 2.3.2 光学性能测试方法 |
| 3 结果与分析 |
| 3.1 离子束清洗时间对OSR膜层附着力以及光学性能的影响 |
| 3.2 离子束清洗气氛以及清洗电流的影响 |
| 4 结论 |
（6）磁控溅射法制备高反射铝膜（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 实验 |
| 3 结果与分析 |
| 3.1 溅射功率对铝膜反射性能的影响 |
| 3.2 溅射沉积时间对铝膜反射性能的影响 |
| 3.3 溅射气压对铝膜反射性能的影响 |
| 3.4 离子束清洗的时间对铝膜性能的影响 |
| 4 结论 |
（8）介质单层膜光学特性及多层膜表面缺陷的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 介质薄膜材料的特性 |
| 1.1.1 高透明性 |
| 1.1.2 吸收和散射 |
| 1.1.3 折射率 |
| 1.1.4 薄膜材料的机械性质 |
| 1.1.5 薄膜的抗激光损伤 |
| 1.2 光学薄膜的应用研究进展 |
| 1.2.1 软X射线膜 |
| 1.2.2 红外截止滤光片 |
| 1.2.3 合色棱镜 |
| 1.2.4 色轮 |
| 1.2.5 光纤通信用光学薄膜 |
| 1.2.6 建筑用光学薄膜 |
| 1.3 Ta_2O_5薄膜的应用研究现状 |
| 1.4 本论文研究的目的和内容 |
| 第2章 介质光学薄膜的制备 |
| 2.1 试验仪器与设备 |
| 2.1.1 ZZS700-6/G型箱式真空镀膜机 |
| 2.1.2 真空的获得与测量 |
| 2.1.3 电子枪 |
| 2.1.4 离子源 |
| 2.2 Ta_2O_5单层膜试验 |
| 2.2.1 正交试验 |
| 2.2.2 正交试验结果 |
| 2.2.3 透射光谱 |
| 2.3 红外截止滤光片的制备 |
| 第3章 Ta_2O_5薄膜性能测试及表征 |
| 3.1 Ta_2O_5薄膜的光学特性 |
| 3.1.1 薄膜光学常数的确定方法 |
| 3.1.2 基片温度对薄膜光学常数的影响 |
| 3.1.3 薄膜厚度对薄膜光学性能的影响 |
| 3.2 Ta_2O_5薄膜的AFM研究 |
| 3.2.1 AFM原理 |
| 3.2.2 基片温度对Ta_2O_5薄膜微观结构的影响 |
| 3.2.3 薄膜厚度对Ta_2O_5薄膜微观结构的影响 |
| 3.3 Ta_2O_5薄膜的光电子能谱分析 |
| 3.3.1 X射线光电子能谱分析技术 |
| 3.3.2 Ta_2O_5薄膜的XPS研究 |
| 第4章 红外截止滤光片表面缺陷研究 |
| 4.1 红外截止滤光片透射光谱 |
| 4.2 扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析(EDS)技术 |
| 4.3 红外截止滤光片表面缺陷的研究 |
| 4.3.1 红外截止滤光片黑点分析 |
| 4.3.2 红外截止滤光片亮点分析 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
（9）宽波段分色膜研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目次 |
| 1 绪论 |
| 1.1 问题的提出 |
| 1.2 目前国内外研究情况 |
| 1.3 本文的工作 |
| 2 宽波段分色膜的设计 |
| 2.1 分色膜的一般设计方法 |
| 2.2 限制分色膜通带宽度的机理 |
| 2.3 基于全介质膜系结构的通带展宽方法 |
| 2.4 含金属膜的分色膜膜系设计 |
| 2.4.1 介质膜-金属膜-介质膜结构分析 |
| 2.4.2 金属膜的选择 |
| 2.4.3 介质膜的选择 |
| 2.4.4 膜系设计 |
| 3 宽波段分色膜的镀制 |
| 3.1 分析 |
| 3.2 宽波段分色膜的镀制 |
| 3.2.1 极薄银膜的镀制 |
| 3.2.2 离子束辅助镀膜技术(IAD)的应用 |
| 3.2.3 介质膜的镀制 |
| 3.2.4 镀膜工艺流程的确定 |
| 3.3 研制结果 |
| 4 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（10）宽带光学薄膜消色差相位延迟器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 第二章 薄膜光学的基本理论 |
| §2.1 薄膜光学简介 |
| 2.1.1 薄膜光学的历史 |
| 2.1.2 薄膜光学的研究现状 |
| §2.2 薄膜光学的电磁理论基础 |
| 2.2.1 麦克斯韦方程 |
| 2.2.2 菲涅耳反射原理 |
| 2.2.3 E和H的边界条件 |
| §2.3 光学薄膜系统特性的计算方法 |
| §2.4 薄膜偏振的理论基础 |
| §2.5 光学薄膜设计方法概述 |
| 2.5.1 矢量法 |
| 2.5.2 导纳匹配法 |
| 第三章 全反射相变理论 |
| §3.1 全反射相变理论 |
| 3.1.1 菲涅耳公式 |
| 3.1.2 全反射相变公式 |
| §3.2 镀膜全反射相变理论 |
| 3.2.1 均匀介质膜 |
| 3.2.2 镀膜全反射相变关系式 |
| 第四章 反射式薄膜位相延迟器的设计 |
| §4.1 概述 |
| 4.1.1 概述 |
| 4.1.2 菲涅耳菱体相位延迟器的特点 |
| 4.1.3 材料的选择与折射率测试 |
| §4.2 单面镀膜相位延迟器的膜系设计 |
| §4.3 双面镀膜相位延迟器的膜系设计 |
| §4.3.1 膜系结构相同的双面膜系 |
| 4.3.1.1 单点的λ/4相位延迟器 |
| 4.3.1.2 一定带宽的λ/4相位延迟器 |
| §4.3.2 膜系结构不同的双面膜系 |
| 4.3.2.1 单点的λ/4相位延迟器 |
| 4.3.2.2 一定带宽的λ/4相位延迟器 |
| §4.4 样品制备 |
| 第五章 样品的测试与其它设计 |
| §5.1 试验光路的调整 |
| §5.2 测量结果 |
| §5.3 样品的测量误差及定性分析 |
| §5.4 其它设计 |
| 5.4.1 λ/2相位延迟器的设计 |
| 5.4.2 λ/4相位延迟器的设计 |
| 5.4.3 需要说明的一些问题 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
四、光学镀膜用大束密均匀区离子源（论文参考文献）
- [1]HL-2A装置束发射谱诊断研制及高约束模下边缘湍流的实验研究[D]. 吴一帆. 中国科学技术大学, 2019(08)
- [2]基于霍尔效应电流传感器的离子电流测试系统设计研发[D]. 邹林. 大连交通大学, 2014(04)
- [3]清洗刻蚀源的均匀性分析[J]. 朱昌,王稳奇. 西安工业大学学报, 2009(02)
- [4]低功率圆柱形阳极层离子源的性能研究[J]. 赵杰,唐德礼,程昌明,耿少飞. 核聚变与等离子体物理, 2009(01)
- [5]离子束清洗对光学太阳反射镜（OSR）性能的影响研究[J]. 赵印中,许旻,李林,何延春,王洁冰,吴春华,邱家稳. 真空与低温, 2008(03)
- [6]磁控溅射法制备高反射铝膜[J]. 赵印中,许旻,李林,何延春,王洁冰,吴春华,邱家稳. 真空与低温, 2008(03)
- [7]清洗刻蚀源的磁场分析[A]. 王稳奇,朱昌. 第六届全国信息获取与处理学术会议论文集（2）, 2008
- [8]介质单层膜光学特性及多层膜表面缺陷的研究[D]. 张光勇. 武汉理工大学, 2007(08)
- [9]宽波段分色膜研制[D]. 查家明. 南京理工大学, 2007(01)
- [10]宽带光学薄膜消色差相位延迟器研究[D]. 闫斌. 曲阜师范大学, 2007(03)