问：薄膜晶体管的介绍
- 答：《薄膜晶体管》是是场效应谈亮晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介则橡电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件含盯宽的工作性能具有十分重要的作用.
问：薄膜晶体管的原理
- 答：薄膜晶体管的原理：
1、薄膜信键念晶体管是一种绝缘栅场效亮隐应晶体管。它的工作状态可以利用Weimer表征的MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，物理结构如图2。当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。
2、当达到强反型时(即达到开启电压时)，源，漏间加上电压就会有通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。
3、当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，器件进入饱和区。在实际LCD生产中，主要利用a-Si：HTFT的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电，利用关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。
薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金滑困属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。
参考资料
百度百科： - 答：薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征圆桐的单晶硅 MOSFET 工作原理来描 述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2. 当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电 荷.随着栅电压增加,半导体表渣逗面将由耗尽层转变为电子积累层,形成反型层.当达到强反型时(即达到开启电压 时) ,源,漏间加上电压就会有载流子通过沟道.当源漏电压很小时,导电沟道近似为一恒定电阻,漏电流随源漏电 压增加而线性增大. 当源漏电压很大时,它会对栅电压产生影响,使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱,半导体表面反型层 中电子由源端到漏端逐渐减小,沟道电阻随着源漏电压增大而增加.漏电流增加变得缓慢,对应线性区向饱和区过 渡.当源漏电压增到如腔卖一定程度,漏端反型层厚度减为零,电压在增加,器件进入饱和区.在实际 LCD 生产中,主 要利用 a-Si:H TFT 的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电,利用关态来保持像素电容的电压,从而实现快 速响应和良好存储的统一.
问：有机薄膜晶体管的缺点
- 答：场效应迁移率低，工作电流低。
1、有机薄膜晶体管有场效应迁移率低，工桐蚂作电流低等陆敬缺点，实践中也提出了基于肖特基势垒类型的有机薄膜器件，即所谓的垂直类型的FET(VertiealTypeFET)，又称SIT(StatieInduetionTransistor)结构，来弥补其缺点。
2、有机电子器件一般为薄膜形式的器件,因此有机早轮慎场效应晶体管也被称为有机薄膜晶体管,其结构和工作机制与a一51:HTFT相似。
