一、等离子体显示器件中障壁制作技术的研究（论文文献综述）
孔双华,胡松,李军,年尚久,张垠[1]（2017）在《等离子显示器障壁材料及其制作工艺进展》文中研究说明等离子平板显示器（PDP）障壁的制作是PDP核心技术之一。目前国内电子元器件用玻璃绝大部分为含铅玻璃。随着现代社会环保意识的提高,含铅材料的应用越来越受到限制。障壁的制作主要取决于原材料和工艺设备,无铅、镉等无公害障壁玻璃的成功开发将形成产品技术壁垒。本文介绍了近年来国内外PDP障壁材料的研究进展,对其制造工艺的发展以及发展过程中遇到的问题做了详细介绍,并重点展示酸刻蚀法在PDP障壁制作过程中的运用。最后对障壁玻璃粉的性能要求作了阐述和分析。
陈禹翔,李青,匡文剑[2]（2012）在《双面显示技术的进展(续)》文中研究说明近年来,双面显示技术成为国际上研究的热点课题之一。双面显示板是一种能够在显示器件两侧显示图像的器件,相较于传统的使用两块显示板相对放置的双面显示板,它以功耗低、体积小、成本低等优点,在各领域有广泛的应用前景。文章对双面显示技术的发展状况进行了综述,介绍了近年来逐渐应用于双面显示的LCD、OLED、PDP等几种主流双面显示技术。
李海燕,孙猛,邓新群[3]（2009）在《等离子电视及其屏用电子玻璃类材料发展现状》文中进行了进一步梳理本文阐述了等离子电视的发展现状,并对等离子电视用电子玻璃类材料包括:透明介质、后板介质、封接框和障壁用玻粉材料及等离子电视用玻璃基板的组成、性能要求,存在的问题及应用进行了综合阐述。
吕延晓[4]（2007）在《紫外光/电子束（UV/EB）固化的应用现状与发展前景（十）》文中研究说明
丁可[5]（2006）在《等离子体应用技术的数值模拟研究 ——PDP及其他等离子体辅助技术的数值模拟》文中提出低温等离子体技术已经在微电子、材料、化工、机械及环保等许多科学领域里得到了广泛地应用。随着人们对低温等离子体发生的物理过程，以及对等离子体与材料表面相互作用机理等各方面的不断研究和探讨，低温等离子体技术得到了迅速地发展和更广泛的应用。等离子体的粒子模拟方法，可以利用计算机模拟大量的带电粒子的微观运动，再对这些微观粒子进行统计平均得到宏观的特性和运动规律。等离子体的粒子模拟方法是考虑等离子体的带电粒子运动最齐全，最能够反映实际等离子体运动的方法。在某种程度上，等离子体的粒子模拟方法可以取代实验的研究方法。因此，等离子体的粒子模拟方法现在已经成为研究等离子体物理的强有力工具。本论文采用等离子体的粒子模拟方法对以下几种等离子体应用技术进行了数值模拟研究：（1）等离子体显示屏放电单元的数值模拟研究：在等离子体显示屏中，放电单元是基本的结构要素，近年来出现了一些新的放电单元结构。比如说WAFFLE型放电单元，它可以把整个等离子体显示屏分成无数的独立的封闭式放电空间。有实验证明WAFFLE型放电单元能够提高放电的发光效率，还能够防止邻近的放电单元的发光混淆。本论文第一部分内容针对WAFFLE型放电单元的新型结构，首次采用二维粒子模拟的方法结合蒙特卡洛碰撞模型对这种封闭型放电单元内的放电过程进行模拟研究，得到了空间电势分布、带电粒子密度的分布和离子入射能量、入射角度分布等参数。模拟结果表明：放电单元采用WAFFLE型介质材料障壁，不会影响整个放电单元内的气体放电性能；相反WAFFLE型介质障壁在某种程度上可以减少介质层被带有能量的离子撞击的机会，从而延长了介质层和整个放电单元的寿命，在整体上看也能提高一定的等离子体显示屏的寿命。本论文还针对等离子体显示屏放电单元在放电过程中出现的条纹现象进行了模拟研究，首次在蒙特卡洛碰撞模型结合二维粒子模拟的方法中考虑到了左右侧介质障壁的厚度对条纹现象的影响，在优化了相关的模拟参数后，模拟出了放电过程中极其清晰的等离子体密度的条纹现象。模拟结果表明：等离子体的条纹现象只发生在阳极区域附近，WAFFLE型障壁可以减弱放电单元内的条纹现象。条纹现象的形成是由阳极表面附近的空间电势分布和表面电荷分布共同作用产生的，特别是表面的电子电荷分布对条纹现象的影响很大。放电空间内空间电势的变化直接影响了带电粒子的分布，正是电势分布的波动使得带电粒子的密度分布也出现了波动。（2）射频（RF）驱动的电容耦合放电等离子体（CCPs）的数值模拟研究：射频电容耦合放电等离子体在等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀、等离子体清洁等方面有广泛的应用，特别是在微电子行业、半导体产业，电容耦合放电更是大规模的被运用到超细刻蚀方面。在通常的单频射频电容耦合放电中，还不能很好的控制放电过程中的等离子体密度和离子能量，放电效率也得不到提高。现在研究比较多的双频电容耦合放电，在放电中使用两种不同频率的工作电源，可以更好的控制放电中电子和离子的能量分布，得到相对较高的等离子体密度。本论文采用一维粒子模拟结合蒙特卡洛碰撞模型的方法，模拟计算了单频和双频电容耦合放电空间内的等离子体密度，离子能量分布等影响放电性能的参量。模拟表明，在双频电容耦合放电中，随着低频射频电源的电压的加大，等离子体的平均密度会下降，等离子体鞘层的宽度会增加，而且离子能量的分布范围也扩大了。随着高频射频电源的电压增大，电容耦合放电空间中的等离子体平均密度上升了；而等离子体鞘层的厚度随着高频电压的升高有所减少。综合比较可知，在双频电容耦合放电中，高频电源可以用来控制放电过程中的等离子体密度，而低频电源可以用来控制放电过程中的等离子体鞘层的宽度和离子能量的分布。（3）等离子体浸没离子注入技术（PⅢ）的数值模拟研究：等离子体浸没离子注入技术是一种新型的表面改性技术，被广泛应用在许多材料的表面改性上。在材料的表面处理改性过程中，一般对改性层中离子的剂量分布均匀性都有较高的要求。因此，对PⅢ待处理的工件进行预测性剂量分析具有十分重要的实用意义。本论文采用二维粒子模拟方法对等离子体离子浸没注入技术进行了模拟研究，在一个完整脉冲时段内，等离子体离子浸没注入平板靶的模拟过程表明：等离子体鞘层的扩展先快后慢，鞘层形状由椭圆柱形向圆柱形演化；注入离子剂量在靶表面的分布是非均匀的；存靶的不同位置注入的离子在改性层中的浓度深度分布有显着差别。（4）等离子体磁控溅射成膜技术的数值模拟研究：磁控溅射成膜是微电子工业上生成薄膜的主要方法之一，现在微电子行业的增长速度非常快，薄膜制成过程也成为了许多研究者关注的焦点。磁控溅射的计算模拟工作可以优化现实的磁控溅射成膜技术的系列参数。本论文利用二维PIC-MCC模拟模型对磁控溅射等离子体的发生过程进行模拟计算，再通过MC模拟方法模拟薄膜的宏观沉积过程。磁控溅射放电过程的模拟结果表明：带电粒子的密度分布，和磁场的分布有着很紧密的关系；溅射Ar离子的能量分布和溅射角度分布同样和磁场的分布有关系；靶体材料表面的离子流密度分布出现了两个高峰。磁控溅射沉积成膜的宏观模拟结果表明：离子流密度的分布直接影响到了离子撞击到靶体的溅射产额，Ar溅射离子入射到靶体表面引起溅射产额分布曲线中也出现了两个高峰，位置和溅射离子流密度分布曲线中的两个高峰位置相对应；薄膜沉积的均匀性和背景气体气压、靶体-基底间距有很大关系，当背景气体的压强增加时，在基底上溅射沉积的薄膜的沉积速率会下降，沉积均匀度就相对较好，而当靶体-基底间距减小时，在基底上溅射沉积的薄膜的均匀性会变差。
吴可[6]（2006）在《SMPDP波形研究及优化》文中研究表明等离子体显示器在进入21世纪后已经确立了其在大屏幕高清晰度显示领域的重要地位,但是目前仍然有许多需要改进的地方,如发光效率、功耗、成本等。新型荫罩式等离子显示器的出现为进一步提高等离子体显示屏分辨率、亮度以及降低成本,延长使用寿命提供了可能。然而将该技术推向产业化还有许多工作,由于荫罩式等离子显示器的结构和传统的三电极表面放电式等离子显示器不同,其工作特性也不同,为了能够充分利用这种新的结构所带来的优势,必须深入研究荫罩式等离子显示器的工作特性,改进和优化其驱动方法。本论文在分析和比较了现有的传统表面放电型等离子显示器所采用的多种驱动方法的基础上,根据新型荫罩式等离子体显示屏的特殊结构,提出了其适用的驱动波形。该驱动波形基于寻址与显示分离的驱动方法,由重置期,寻址期和维持期组成。本论文在对比几种常用的重置波形的基础上,提出了适用于荫罩式等离子显示器的重置波形。此重置波形由正向斜坡波形和负向斜坡波形组成。通过壁电压输入输出曲线进行理论分析和实际系统上的实验结果,证明此波形能够有效地使壁电压达到稳定寻址需要的范围,并且产生有利于寻址的空间电荷,同时还有效的提高了对比度。另外论文中还提出了重置波形的相关参数。本论文分析了荫罩式等离子显示器中影响寻址速度的因素。通过对影响寻址速度的因素的分析和实际系统上实验的结果,提出了寻址波形需要满足的电压幅度的条件和寻址波形的相应参数。为了进一步降低寻址时间,提出了适用于25英寸荫罩式等离子显示器的缩短寻址时间的方案。本论文分析了荫罩式等离子显示器中能够稳定维持放电的要求,通过实际系统上实验的结果,提出了25英寸荫罩式等离子显示器的维持波形相应的参数。
张健[7]（2005）在《荫罩式等离子显示板放电性能的理论研究》文中提出等离子体显示技术（PDP）具有高亮度、高对比度、宽视角、色彩逼真等优点,是大屏幕高清晰度显示器的首选。但是,它仍然存在制造成本高,放电效率低等缺点。目前对PDP的研究主要集中在提高发光效率、提高分辨率、延长寿命等方面。由于PDP放电单元很小,实验研究很困难,并且无法直接测量放电过程中的粒子分布的变化,因此数值模拟的方法成为PDP研究的一个重要且有效方法。本论文主要是通过自行编制的软件,用数值模拟的方法,研究了影响荫罩式等离子显示屏（SM-PDP）的放电性能。首先基于二维流体模型基础上,完成了PDP三维模拟软件。流体模型主要包括粒子连续性方程和泊松方程。在利用数值计算的方法求解这两个方程时,为了克服方程求解过程中介电驰豫时间对时间步长的限制,本文采用了对粒子浓度预测的方式,使计算速度大大加快。同时为了保证计算的稳定性,本文在比较了多种粒子连续性方程的离散格式基础上,采用了指数格式,即保证了计算的稳定,又能获得较高的计算速度。在流体模型的基础上,本文首次使用表面电荷法与流体模型相结合,计算了PDP的放电电流,从而能更方便准确地研究放电过程中各参量的变化对放电电流的影响,并与实验测量结果进行比较。根据SM-PDP的特殊性,特别是25”SVGA SM-PDP的圆形像素单元,具有轴对称性,本文同时在直角坐标和轴对称坐标中,完成了公式的推导和程序开发。其次本文利用完成的模拟软件对SM-PDP的放电性能作了系统的分析并与传统的表面放电PDP进行了比较。研究了各结构参数、放电气体、驱动频率等因素对SM-PDP性能的影响。改变放电单元的结构,使放电空间的电场发生变化,从而使放电性能发生改变。提高放电气体中的氙的比例,可以提高所产生的氙谐振态粒子的数量,从而使放电效率提高;增加放电气体的压强,尽管放电气体的着火电压增高,但同时电子与其它粒子碰撞的几率增大,放电效率提高。驱动电压频率的升高,在相同的时间内放电次数增加,可以提高显示亮度,同时增大显示的灰度等级。通过与传统的表面放电PDP比较,可以看到SMPDP具有着火电压低、寻址时间短、亮度高、效率高等优点。与传统的PDP不同SM-PDP中障壁是金属等位体,可以通过调节荫罩上的电压,来改变放电空间的电场,以获得更好的放电性能。本文详细分析了荫罩上电压波形的不同对SM-PDP放电性能的影响,并在此基础上,设计了荫罩上的电压波形,使荫罩在放电过程中电位更接近外加的阳极电位,从而大大提高SM-PDP的放电性能。
马晓燕,杨杨,张晓兵,雷威,张宇宁,崔伟[8]（2005）在《等离子体显示的发展现状和前景展望》文中指出从彩色PDP基本结构和工作原理入手,分析目前彩色PDP的优缺点,围绕着如何改善性能,降低成本,介绍了目前世界各大公司和研究机构在改进PDP的结构、材料、驱动电路等方面所作的工作和相应的理论研究,展望了今后PDP的发展前景。
崔伟[9]（2005）在《等离子体显示板放电单元的特性研究》文中研究表明本文基于帕邢定律,采用数值模拟的方法,研究了不同结构PDP放电单元静态和动态着火电压的情况。所编制的计算软件考虑到各种结构的特点,具有一定的通用性。利用该软件计算了表面放电结构PDP（ACCPDP）和荫罩式PDP（SMPDP）中,沿不同放电路径着火电压的分布情况,并研究了放电单元中单元高度、介质层厚度和介电常数、荧光粉层厚度变化对于着火电压的影响,模拟发现,SMPDP的着火电压低于ACCPDP,且上述结构参数的变化对于SMPDP的影响均接近或小于ACCPDP。本文还研究了寻址期ACCPDP中X电极偏压和SMPDP中障壁电位对于放电的影响。模拟发现,寻址期在ACCPDP的X电极加一定的正偏压和在SMPDP的障壁上加低负压,都能达到较好的壁电荷积累。本文在理论计算的基础上,基于气体放电相似性定律,设计和制作了ACCPDP和SMPDP以及对向放电结构的放大单元;建立了包括高速ICCD、滤色系统、数字时序控制电路、高压驱动电路的PDP光发射测试系统,利用实验方法,对PDP的某些放电特性进行研究。本文拍摄了ACCPDP和矩阵对向放电单元（ACM）放电过程,并且研究了ACCPDP维持放电过程中,红外谱线和640nm谱线的分布情况,上述结果与参考文献中的结果基本一致,这为放大模型和测试系统的正确性提供了佐证。本文拍摄了ACCPDP寻址放电过程,并研究了不同Vx偏压对于寻址放电的影响,放电过程中光发射分布间接证明了第三章模拟结果的正确性。本文还首次拍摄SMPDP放大单元和实际单元中放电过程,指出了SMPDP上下半周期放电的不对称性。放大单元中,电极间距、电极宽度、介质层厚度以及电极形状能够极为方便的改变,本文研究了ACCPDP和SMPDP中上述结构因素对于放电效率的影响,为单元的优化、显示效率的提高提供了建议。
赵卫华[10]（2005）在《PDP相邻显示单元放电影响研究》文中研究说明等离子体显示技术具有高亮度、高对比度、宽视角、色彩逼真等优点,是大屏幕高清晰度显示器的首选。目前对PDP的研究主要集中在提高发光效率,高分辨率,长寿命等方面。由于等离子体显示板放电单元很小,实验研究非常困难。不仅时间长、成本高,而且由于放电过程的复杂性,许多因素难以研究。而采用数值模拟的方法可方便地研究放电单元的放电特性,了解影响放电过程的各种因素,优化放电单元参量,从而改善PDP性能。本论文采用二维数值模拟的方法计算了表面放电式和荫罩式PDP在不同结构下相邻三个单元的放电过程。基于本中心自行开发研制的计算模拟软件,增加了计算三单元放电的模块,分析了影响计算速度的因素,采用半隐格式计算电场并合理选取网格步长从而大大提高了模拟软件计算速度。研究了放电过程中,各单元内电子、氙谐振态平均浓度和它们的空间分布随时间的变化情况。在流体模型计算的基础上,采用蒙特卡罗模型对单元内大量谐振光子辐射、捕获过程进行模拟跟踪,从而得出放电单元内所产生谐振光子在单元荧光粉层上的分布。研究了放电过程中相邻单元之间的影响,分析了不同单元结构的串扰情况。对传统条形障壁结构,单元内维持电极间距增大,维持电极宽度增大,会使串扰加强。单元放电空间高度增大,串扰亦会随之增强。而Waffle型障壁结构不仅能提高光效,而且能有效的阻止串扰的发生,且障壁高度越高,串扰越弱。荫罩式PDP,相邻单元在寻址期受到较大影响,而维持期影响极微,几乎没有串扰发生。
二、等离子体显示器件中障壁制作技术的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、等离子体显示器件中障壁制作技术的研究（论文提纲范文）
（1）等离子显示器障壁材料及其制作工艺进展（论文提纲范文）
| 1 PDP的构造 |
| 2 PDP结构中障壁的瓶颈问题 |
| 2.1 障壁结构 |
| 2.2 障壁材料 |
| 3 障壁制作工艺的进展 |
| 3.1 障壁的制作工艺 |
| 3.2 障壁制作机理及其工艺实用性的比较 |
| 3.2.1 丝网印刷法 |
| 3.2.2 喷砂法 |
| 3.2.3 光刻法 |
| 3.2.4 填平法 |
| 3.2.5 酸刻蚀法制作障壁 |
| 4 PDP对障壁玻璃粉的性能要求 |
| 4.1 热稳定性 |
| 4.2 化学稳定性 |
| 4.3 电阻的要求 |
| 4.4 光学性能 |
| 5 总结 |
（2）双面显示技术的进展(续)（论文提纲范文）
| 2 OLED双面显示技术 |
| 2.1 双面发射型透明双面显示OLED |
| 2.2 双面发射型非透明双面显示OLED |
| 3 PDP双面显示技术 |
| 3.1 一种双面显示PDP |
| 3.2 一种玻璃障壁双面显示PDP |
| 3.3 一种SU-8光刻胶障壁双面显示PDP |
| 4 其他双面显示技术 |
| 5 结束语 |
（4）紫外光/电子束（UV/EB）固化的应用现状与发展前景（十）（论文提纲范文）
| 6.6 |
| 等离子体显示板与其他显示器 |
（5）等离子体应用技术的数值模拟研究 ——PDP及其他等离子体辅助技术的数值模拟（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 低温等离子体物理 |
| 1.1.1 等离子体的定义以及相关重要概念 |
| 1.1.2 等离子体的产生 |
| 1.1.3 低温等离子体物理的应用 |
| 1.1.3.1 等离子体显示屏 |
| 1.1.3.2 等离子体成膜 |
| 1.1.3.3 等离子体浸没离子注入 PIII |
| 1.1.3.4 等离子体刻蚀技术 |
| 1.2 等离子体在显示器方面的应用:等离子体显示屏 |
| 1.2.1 等离子体显示器的简介 |
| 1.2.2 等离子体显示器的发展历史 |
| 1.2.3 等离子体显示屏的基本构造 |
| 1.2.4 等离子体显示屏的计算机模拟 |
| 1.2.5 国内对于等离子体显示屏的研究情况 |
| 1.2.6 现在的研究进展和趋势:如何提高等离子体显示屏的放电效率 |
| 1.3 射频电容耦合放电等离子体 |
| 1.4 等离子体浸没离子注入(PIII) |
| 1.4.1 等离子体浸没离子注入技术的模拟研究 |
| 1.4.2 等离子体浸没离子注入技术的不足以及研究方向 |
| 1.5 等离子体磁控溅射成膜 |
| 1.5.1 等离子体磁控溅射技术的模拟研究 |
| 1.5.2 等离子体磁控溅射成膜技术的模拟研究方向 |
| 1.6 本论文的主要研究工作及其意义 |
| 第二章 等离子体粒子模拟模型及数值求解 |
| 2.1 等离子体的粒子模拟方法 |
| 2.2 等离子体粒子模拟的基本思路 |
| 2.3 等离子体粒子模拟方法的计算流程和常用算法 |
| 2.3.1 等离子体模拟方法的基本流程及蛙跳算法 |
| 2.3.2 计算粒子形状的插值方法和线性加权方法 |
| 2.3.3 Newton-Lorentz运动方程的求解 |
| 2.3.4 静电模型以及边界条件 |
| 2.3.5 电势的计算 |
| 2.3.6 电磁模型中 Maxwell方程的求解 |
| 2.3.7 电磁模型中的电流参量 |
| 第三章 PDP放电单元中障壁类型对放电性能的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 放电单元的结构组成 |
| 3.3 模拟方法以及相关模拟参数 |
| 3.4 计算结果和分析 |
| 3.4.1 放电单元中的电势分布 |
| 3.4.2 放电单元中的条纹现象 |
| 3.4.3 带电粒子的密度分布 |
| 3.4.4 放电单元中介质层上的表面电荷分布 |
| 3.4.5 放电单元内空间电势分布和密度分布的相互影响 |
| 3.4.6 放电单元中入射粒子在介质层上的能量分布 |
| 3.4.7 放电单元中入射粒子在介质层上的入射角度分布 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 PDP中条纹现象的模拟及其发生机理的探讨 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 等离子体显示屏放电单元的模拟结构及相关模拟参量 |
| 4.3 模拟结果和分析 |
| 4.3.1 电势分布 |
| 4.3.2 带电粒子密度的分布 |
| 4.3.3 空间电势分布和密度分布的对应关系 |
| 4.3.4 条纹现象的发生机理 |
| 4.4 不同介电常数的介质障壁对条纹现象的影响 |
| 4.5 另外一种材料的障壁对条纹现象的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 射频电容耦合放电等离子体的模拟研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电容耦合放电等离子体的放电模型 |
| 5.3 模拟工具及相关模拟参数 |
| 5.4 单频电容耦合放电模拟结果和分析 |
| 5.4.1 工作气压的变化 |
| 5.4.2 射频电源的频率变化 |
| 5.4.3 射频电源的电压变化 |
| 5.5 双频电容耦合放电模拟结果和分析 |
| 5.5.1 低频电源电压的改变对放电性能的影响 |
| 5.5.2 高频电源电压的改变对放电性能的影响 |
| 5.5.3 低频电源频率的改变对放电性能的影响 |
| 5.5.4 高频电源频率的改变对放电性能的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 等离子体浸没离子注入技术的模拟研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 二维等离子体粒子模拟的物理模型 |
| 6.3 粒子模拟的计算流程 |
| 6.4 数值模拟结果与讨论 |
| 6.4.1 等离子体鞘层的扩展 |
| 6.4.2 入射离子流密度分布 |
| 6.4.3 入射离子的入射角度分布 |
| 6.4.4 入射离子的能量分布 |
| 6.4.5 入射离子的剂量分布 |
| 6.5 注入离子浓度深度分布研究 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 磁控溅射等离子体的产生和薄膜沉积的模拟研究 |
| 7.1 简介 |
| 7.2 磁控溅射等离子体产生的模拟方法 |
| 7.3 薄膜沉积宏观形貌的模拟 |
| 7.4 等离子体产生过程的模拟结果 |
| 7.4.1 磁场分布的示意图 |
| 7.4.2 平均动能、带电粒子数密度随时间的变化 |
| 7.4.3 空间电势的分布和等离子体鞘层 |
| 7.4.4 放电空间内的粒子密度分布 |
| 7.4.5 Ar离子的能量分布和角度分布 |
| 7.4.6 靶体表面的粒子流密度分布 |
| 7.5 薄膜沉积过程宏观形貌的模拟 |
| 7.5.1 溅射产率 |
| 7.5.2 不同气压、不同靶/基底间距的薄膜沉积 |
| 7.6 小结 |
| 第八章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 博士研究生期间发表的论文 |
（6）SMPDP波形研究及优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 等离子体显示器（PDP）概述 |
| 1.1.1 PDP的发展历史 |
| 1.1.2 PDP的特点和存在问题 |
| 1.1.3 等离子体显示屏的典型结构及新型结构 |
| 1.1.4 PDP基本工作原理 |
| 1.2 SMPDP显示屏结构和驱动方法 |
| 1.2.1 SMPDP基本结构 |
| 1.2.2 SMPDP驱动方法 |
| 1.2.3 ACC-PDP常用的驱动方法 |
| 1.3 课题主要工作及意义 |
| 第2章 交流等离子屏基本工作原理 |
| 2.1 交流等离子屏的记忆效应 |
| 2.2 WVIO曲线分析方法 |
| 2.3 实验系统及相应仪器 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 重置波形的研究和规划 |
| 3.1 重置期的作用 |
| 3.1.1 重置期前屏单元壁电压分析 |
| 3.1.2 重置期的作用 |
| 3.2 几种现有的重置方案比较 |
| 3.3 重置波形的提出和参数分析 |
| 3.3.1 SMPDP重置波形及放电特性分析 |
| 3.3.2 重置波形参数的正常工作范围 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 寻址波形的研究和优化 |
| 4.1 寻址的基本原理 |
| 4.2 寻址波形的研究 |
| 4.2.1 缩短寻址时间的意义及方法 |
| 4.3 SMPDP中影响寻址时间的因素 |
| 4.3.1 寻址时间的组成 |
| 4.3.2 有关寻址放电延迟的实验 |
| 4.3.3 对于补偿priming效果的讨论 |
| 4.4 扫描电压与寻址电压的范围 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 维持波形的优化 |
| 5.1 维持的基本原理 |
| 5.1.1 维持期屏单元壁电荷变化情况 |
| 5.1.2 维持期屏单元壁电压稳定性分析 |
| 5.1.3 提高发光效率的维持驱动方式 |
| 5.2 维持波形参数的选择 |
| 5.3 25 英寸SMPDP驱动波形及参数 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）荫罩式等离子显示板放电性能的理论研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 第二章 等离子显示屏中气体放电的物理模型 |
| 2.1 气体放电过程 |
| 2.2 气体放电特性 |
| 2.3 潘宁电离 |
| 2.4 PDP 中的基本粒子与放电反应 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 流体模型 |
| 3.1 流体模型的建立 |
| 3.2 方程的显式和隐式求解格式 |
| 3.3 粒子连续性方程的空间离散 |
| 3.4 泊松方程的空间离散 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 PDP 中一些重要参数的计算和测量 |
| 4.1 PDP 电极上电流的计算 |
| 4.2 放电效率的计算 |
| 4.3 PDP 放电过程的拍摄和参数测量 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 SM-PDP 的性能研究 |
| 5.1 SM-PDP 放电过程的模拟 |
| 5.2 SM-PDP 放电性能的分析 |
| 5.3 25”SM-PDP圆形放电结构的影响 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 SM-PDP 中金属荫罩电压波形的设计 |
| 6.1 固定电位的金属荫罩 |
| 6.2 荫罩电压波形设计 |
| 6.3 小结 |
| 第七章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（8）等离子体显示的发展现状和前景展望（论文提纲范文）
| 1 等离子体显示基本原理与发展概况 |
| 2 关键技术的研究和进展 |
| 2.1 PDP结构的研究 |
| 2.2 驱动电路的研究 |
| 2.3 理论与计算机模拟 |
| 3 结束语 |
（9）等离子体显示板放电单元的特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 等离子体显示技术的研究现状 |
| 1.3 一种新型等离子体显示屏 |
| 1.4 本论文的主要工作 |
| 第二章 气体放电的数学物理模型 |
| 2.1 气体放电物理模型 |
| 2.2 气体放电数学模型 |
| 第三章 PDP 着火电压的数值研究 |
| 3.1 着火电压计算的基本原理 |
| 3.2 静态着火电压的研究 |
| 3.3 动态着火电压的研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 PDP 放电单元的特性研究 |
| 4.1 气体放电的相似定律 |
| 4.2 放大实验的建立 |
| 4.3 表面放电结构单元放电特性的研究 |
| 4.4 对向放电结构单元放电特性的研究 |
| 4.5 荫罩结构单元放电特性的研究 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）PDP相邻显示单元放电影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 PDP 基本特点与发展 |
| 1.2 PDP 显示单元放电数值模拟 |
| 1.3 本论文的研究工作 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 PDP 介绍 |
| 2.1 PDP 分类 |
| 2.2 PDP 的工作原理 |
| 2.3 PDP 的放电特性和发光机理 |
| 2.3.1 气体放电中粒子的运动与相互作用 |
| 2.3.2 PDP 中的气体放电特性 |
| 2.3.3 PDP 的发光机理 |
| 2.4 新型PDP 单元结构 |
| 第三章 PDP 放电过程的数值模拟 |
| 3.1 数值模拟的分类 |
| 3.2 流体模型的基本方程 |
| 3.3 流体模型的数值求解 |
| 3.3.1 泊松方程的差分法求解 |
| 3.3.2 粒子连续性方程的求解 |
| 3.4 PDP 单元谐振光子辐射捕获过程模拟 |
| 3.4.1 放电单元中谐振光子的捕获 |
| 3.4.2 谐振光子的辐射传输蒙特卡罗模型 |
| 第四章 多单元模拟软件模块 |
| 4.1 PdpCal 软件介绍 |
| 4.2 多单元放电计算模块 |
| 4.3 数值模拟加速 |
| 4.3.1 求解格式对计算的影响 |
| 4.3.2 网格点数量对计算的影响 |
| 第五章 相邻单元放电模拟计算与分析 |
| 5.1 表面放电式PDP 放电模拟 |
| 5.1.1 传统条形障壁结构三单元放电情况 |
| 5.1.2 Waffle 型障壁结构三单元放电情况 |
| 5.2 荫罩式PDP 放电模拟 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在读期间发表的论文清单 |
四、等离子体显示器件中障壁制作技术的研究（论文参考文献）
- [1]等离子显示器障壁材料及其制作工艺进展[J]. 孔双华,胡松,李军,年尚久,张垠. 山东陶瓷, 2017(01)
- [2]双面显示技术的进展(续)[J]. 陈禹翔,李青,匡文剑. 光电子技术, 2012(02)
- [3]等离子电视及其屏用电子玻璃类材料发展现状[A]. 李海燕,孙猛,邓新群. 电子玻璃技术（2009年第1、2期）——第九届电子玻璃分会换届年会及庆祝电子玻璃分会成立三十周年暨电子玻璃学术研讨会论文集, 2009(总第41期)
- [4]紫外光/电子束（UV/EB）固化的应用现状与发展前景（十）[J]. 吕延晓. 精细与专用化学品, 2007(11)
- [5]等离子体应用技术的数值模拟研究 ——PDP及其他等离子体辅助技术的数值模拟[D]. 丁可. 复旦大学, 2006(02)
- [6]SMPDP波形研究及优化[D]. 吴可. 东南大学, 2006(04)
- [7]荫罩式等离子显示板放电性能的理论研究[D]. 张健. 东南大学, 2005(02)
- [8]等离子体显示的发展现状和前景展望[J]. 马晓燕,杨杨,张晓兵,雷威,张宇宁,崔伟. 真空, 2005(02)
- [9]等离子体显示板放电单元的特性研究[D]. 崔伟. 东南大学, 2005(02)
- [10]PDP相邻显示单元放电影响研究[D]. 赵卫华. 东南大学, 2005(01)