一、接地分类及布线工艺（论文文献综述）
史丽云[1]（2021）在《基于异质集成工艺的毫米波片上无源器件建模及参数提取研究》文中研究指明毫米波异质集成技术通过异质组装和异质互连,将高性能的Ga As电路、In P电路等与硅基电路进行集成,突破单一半导体材料的局限性,是集成电路在“后摩尔时代”的重要发展方向。基于硅基MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）的光敏复合薄膜多层布线工艺是一种备受业界关注的三维异质集成工艺。该工艺采用低损耗、易固化的光敏型苯并环丁烯（Benzocyclobutene,BCB）光刻胶为电介质材料,以高阻硅作为衬底母板,采用MEMS技术加工而成。精确的建模是连接设计与工艺的必不可少的环节,有助于缩短开发周期,节约人力成本和时间成本。然而在毫米波频段,寄生效应、耦合效应和色散效应等愈发复杂,建立高精度的宽频带模型的难度随之增加。在毫米波异质集成电路中,无源器件如电感、滤波器、变压器、功分器等占据芯片的主要面积,承担着信号传输、滤波、阻抗匹配、功率合成等复杂任务。目前鲜有针对光敏复合薄膜多层布线工艺的无源器件的模型,对其开展研究,在学术科研领域及工程应用层面均具有价值。本文研究了基于硅基MEMS的光敏复合薄膜多层布线工艺的片上无源元件的去嵌、建模与参数提取方法,取得的创新性研究成果如下:1分析了非对称性误差对片上二端口器件去嵌精度的影响,提出了一种基于非对称等效电路结构的去嵌算法,利用光敏复合薄膜多层布线工艺,加工了非对称的片上交指电容和传输线,验证了去嵌入算法的有效性。2针对光敏复合薄膜多层布线工艺的共面波导传输线,建立了一种改进型T型宽带混合阶电路模型,该模型包含2个分数阶元件和5个整数阶元件。基于分数阶微积分理论,通过在片测量,采用直接法提取分数阶元件的数值,工作带宽从原来整数阶模型的40 GHz提升到110 GHz,并分别在频域和时域中与整数阶模型进行了对比验证。3提出了一种单元π型结构的分数阶电感等效电路模型。该模型包含6个整数阶电路元件和3个分数阶电路元件,用以表征复杂的频率相关效应:趋肤效应、邻近效应和分布效应等。经过实物加工测试和验证,该分数阶模型的带宽可达40 GHz。4采用基于人工神经网络方法,提出了基于光敏复合薄膜多层布线工艺的慢波传输线模型。使用三层感知神经网络结构和列文伯格-马夸尔特法和梯度下降反向传播算法,优化了迭代过程。利用所提出的模型设计加工了一款基于光敏复合薄膜多层布线工艺慢波耦合器,工作频段为20 GHz到40 GHz,测量结果与、电磁计算结果和神经网络模型结果吻合良好。
李明[2]（2021）在《线束生产数字化工艺引导系统研究》文中认为线束是复杂机电产品的重要组成元件,在汽车、轨道客车、工业控制及航空航天等领域得到广泛应用。线束作为连接各控制模块和电子设备的“纽带”,在电气系统中起到传输能量和电信号的作用,线束生产质量的高低、装配水平的优劣将会影响复杂机电产品的整体性能和可靠性。目前我国以航空为代表的复杂产品制造企业中,在进行线束产品生产时,布线、屏蔽、端接等主要工作依然大量依靠工人经验和繁杂的工艺文件,技术手段和辅助工具较为落后,工艺引导数字化程度较低。为提高线束生产效率和产品质量,本文对线束生产工艺引导相关技术和方法进行了较为深入的研究,旨在为相关工作的开展提供有效的数字化工具和技术支撑。（1）进行了线束生产数字化工艺引导系统的总体设计。从功能方面作出了系统的需求分析,以此提出了系统的总体架构。分别对系统应用基础模块和功能模块的结构组成、工作流程、技术方案进行了研究。（2）研究了线束数字化信息建模与布线路径自动识别技术。介绍了线束相关构件的概念及组成,分析了线束的特征和数字化信息模型的需求,提出了一个以线束拓扑结构为骨架的数字化信息模型。分析了线束图纸资源解析的原理、规则、过程,并将解析后的图元实体信息作为数字化信息模型的数据源,结合模型提出一种基于叶子线裁剪算法的布线路径自动识别方法,并对该方法的实现过程进行了详细论述。（3）研究了线束自动布局设计及空间优化技术。在线束数字化信息模型的基础上,提出了一个无向图与二叉树结合的线束分支树理论模型,详细介绍了分支树的相关定义和层次划分。基于分支树模型,通过引入谓词逻辑,设计了高级主干选取推理、基本构型布局推理、空间寻优推理等方法,实现了线束主干自动选取、自动布局设计、布局空间优化,最后通过实验验证了该技术的高效性和可靠性。（4）在本文所述的理论和技术研究成果的基础上,介绍了系统的总体开发目标、运行环境、体系结构,并结合实例进行了系统的总体实现,详细介绍了系统主要功能模块的实现,验证了论文中的关键理论和技术。
李振亚,谭进波,鞠传海[3]（2020）在《基于模型的机柜布线工艺设计方法》文中提出本文对设备机柜结构和传统的布线方式进行了分析,针对目前机柜布线工艺设计中存在的问题,提出了一种基于模型的机柜布线工艺设计方法。通过测量三维布线模型中设备端部与机柜横向布线支撑架出线点之间线缆长度,重新定义线缆布线端点位置,从而实现机柜正向布线工艺设计。该方法在基于模型的无人机地面控制站机柜进行了应用,提高了线缆布线生产效率,提升了线缆布线效果。
许晓飞[4]（2020）在《高速高密度电路互连结构的传输特性研究》文中研究说明随着大规模集成电路技术进步,芯片的管脚越来越多,在物理尺寸日益小型化的印刷电路板（PCB）上芯片管脚间焊接的互连线越来越密集,互连线线间距、线宽度达到微米级、亚毫米级,因此,研究印刷电路板上微米级互连线的传输信号完整性（SI）具有很强的迫切性。传统研究互连线的信号完整性一般从两个方面开展研究:一方面是研究芯片内部的微纳米级互连线信号完整性;另一方面是研究印刷电路板上毫米级互连线上的信号完整性。而在已报道的研究成果中,印刷电路板上的微米级、亚毫米级互连线信号完整性的研究内容较少。本文重点研究了印刷电路板上的微米级、亚毫米级平行互连线的信号完整性,并且对集成电路（IC）中内部的微纳米级互连线的抗辐照效应开展了探索性研究。主要工作及创新点如下:1.串扰问题是影响信号完整性的关键性问题之一。本文针对印刷电路板上微米级、亚毫米级的高速高密度互连线的串扰问题,研究微米级平行互连线间串扰机理,提取微米级互连线线间距引起的容性耦合参量,以及微米级互连线线长度、线宽度引起的感性耦合参量,建立了由分布参数电阻（R）、电感（L）、电导（G）和电容（C）组成的RLGC等效电路,推导出了微米级的特征尺寸下电路传输函数随频率变化的等效电路方程。仿真分析了在不同线宽、不同线间距、不同线长度条件下,微米级平行互连线近端串扰S31和远端串扰S41随频率的变化关系。研究表明,与传统的印刷电路板上毫米级平行互连线的串扰特性随频率单调递增不同,微米级平行互连线串扰频率特性是随着频率的增加而周期性振荡上扬,且随着互连线长度的增加,以及微米级线间距、线宽度减小,串扰增大。每个振荡周期都呈现出串扰低谷频率窗口期,在每个窗口期内,传输信号近端串扰S31和远端串扰S41,都有一个的低谷谐振几百兆赫兹频率带宽。当微米级平行互连线结构参数的线长度L=4cm、线间距d=100μm、线宽度w=100μm时,在03GHz频率范围内,当传输信号频率范围为直流0 GHz-1.8GHz,串扰随频率呈单调递增,当传输信号频率范围为1.8GHz-2.25GHz,串扰随频率呈先单调递减,再单调递增,串扰大幅度降至小于-20d B;当传输信号频率范围为2.25 GHz-3.0GHz,串扰随频率呈单调递增。2.在理论及仿真分析基础上,设计制作了十种不同规格的微米级平行结构互连线印刷电路板,其互连线线间距分别为100μm、200μm、300μm、400μm,互连线线宽度分别为100μm、200μm、300μm、400μm,互连线线长度分别为1cm、2cm、3cm、4cm。测试了这几种规格的平行结构互连线的频率传输特性,实测结果与仿真结果吻合。传输信号频率在015GHz范围内,选取样本的印刷电路物理模型微米级平行互连线结构参数线长度L=4cm、线间距d=100μm、线宽度w=100μm时,印刷电路板上微米级平行互连线串扰频率特性是非单调递增的,随频率增加呈现出周期性振荡上扬,测试传输基带信号频率在03GHz范围内,远端串扰S41特性大幅度降至小于-20d B的谐振带宽大于五百兆赫兹。传输特定信号为2.0GHz频率点有-45d B以上的串扰衰减。3.过孔是印刷电路板常见的互连结构。研究高速高密度印刷电路板上的过孔型互连结构的电磁传输信号完整性,提取过孔型互连结构圆波导分布参数组成RLGC电路模型,研究过孔型通孔半径大小、过孔加载枝节微带线线宽度、过孔加载枝节微带线线长度对S参数影响。在空中源区强电磁脉冲辐射条件下,研究得出金属屏蔽层中过孔型结构互连线具有传输信号的电磁防护特性,金属屏蔽腔内多层电路板间过孔型结构互连线具有传输信号的电磁滤波特性。根据已研究的过孔型结构互连线电磁传输特性,制作了一种应用过孔型互连结构加载枝节微带线的带通滤波器,能够实现上下多层电路板中特定频率信号连接滤波功能,能够减小三维集成电路尺寸;加工测试基于过孔型结构互连的带通滤波器的通带中心频率为2.095 GHz,通频带为470MHz。4.考虑到互连线在集成电路中的面积占比越来越大,以及空中源区辐照的复杂环境下,针对高速信号传输条件下的高密度电路,探索研究芯片内部的微纳米级（线宽度纳米级、线长度微米级）互连线的电磁辐照效应;构建芯片器件内和器件间微米级的互连结构物理模型与分布参数RLGC电路模型,采用专业软件进行辐照效应仿真分析。研究结果表明,辐照影响互连线的有效传输信号线长度,以及辐照影响互连线等效特性阻抗。
李少军[5]（2020）在《宽带通信中的超高速数据转换器研究》文中提出宽带通信在精确定位、跟踪、军用合成孔径雷达（SAR）、脉冲多普勒雷达以及个人区域网络（PAN）等领域都有着广泛的应用,作为连接模拟和数字世界的桥梁,数据转换器性能往往是宽带通信中的关键因素,大带宽的信号意味着数据转换器需要更高的采样率,处理更大带宽的信号,即宽带通信需要超高速工作的数据转换器。作为数据转换器家族的重要组成部分,超高速跟踪保持放大器THA、模数转换器ADC以及数模转换器DAC越来越受到业界的关注。从实现超高速数据转换器的半导体工艺来看,相比其他工艺,在相同尺寸下,InP DHBT具有更高的饱和电子漂移速度、更小的基区渡越时间、更小的基区电阻以及更大的基极-集电极反向击穿电压,InP DHBT器件这些超高频特性,使得它可在超高速数据转换器中得到更好的应用,并作为其他工艺不足的一种补充。本论文从超高速电路技术的角度出发,对>10-Gsps采样率的超高速数据转换器,包括THA、ADC以及DAC进行了研究,基于InP DHBT工艺设计并研制了三款超高速THA芯片,根据THA的仿真和测试结果对超高速InP DHBT ADC的设计展开了研究,论文的最后还给出了一款基于InP DHBT工艺的超高速DAC原形芯片设计与实现,本论文取得的主要研究成果如下:（1）研究了三款超高速THA的设计,基于InP DHBT工艺分别设计并实现了24-Gsps、40-Gsps以及64-Gsps三款超高采样率的THA芯片。分析了超高速THA的开环结构以及THA在工作时的采样限制,为了满足超宽带通信的大带宽要求,本论文提出了一种发射极阻容退化技术用于24-Gsps的宽带THA芯片设计,测试结果表明该芯片实现了22.3 GHz跟踪带宽的宽带性能;为了实现超高速数据转换器的高线性度要求,本论文使用了一种Vbe调制补偿的线性化技术并提出BE结二极管替换SEF作为采样开关的方法,设计并研制出40-Gsps超高速的第二款THA芯片,测试结果表明该THA芯片实现了SFDR>39.4 d B,THD<-32.7d Bc的高线性度性能以及21.8 GHz的小信号跟踪带宽;而第三款64-Gsps THA则使用了有源电感峰化技术实现了超宽带超高采样率的性能,在40-Gsps THA的研制基础上,根据InP DHBT中BC结特有的高速且大反向击穿电压特性,提出使用BC结二极管替换BE结二极管作为采样开关,联合仿真结果表明该64-Gsps THA具有高达67GHz的小信号跟踪带宽以及THD<-26 d Bc的性能。本论文研制的三款THA芯片与国际上先进工作相比,它们具有更高的BW/fT比率,即具有更高的带宽利用率,非常适合用于超宽带通信的应用中。同时作为各自的亮点,其中24-Gsps THA实现了更低的功耗和更小的面积,40-Gsps THA实现了更高的线性度,64-Gsps THA则表现出更大的带宽,在国内乃至国际上都处于先进水平。（2）基于超高速THA的设计与测试结果,使用InP DHBT工艺研究并设计了一款单路16-Gsps,3-bit的Flash ADC芯片。给出了表征ADC性能的指标参数,分析了超高速Flash ADC的非理想效应,对ADC展开了研究和设计,该ADC包含了本论文所研制的24-Gsps THA电路、参考电阻网络、预放大器和比较器阵列、异或门和ROM电路组成的数字编码器,详细分析了比较器的非理想效应并给出了解决方案。为了缓解数字输出的时序问题并匹配50?负载,该ADC片上集成了一级输出DFF缓存和输出驱动电路。同时为了改善信号完整性,满足片上ADC严格的时序要求,本论文对整体时钟网络进行了端接匹配处理和电磁场仿真优化,有效地抑制了时钟远端的差分反射和共模干扰。仿真结果表明该ADC实现了16-Gsps的超高采样率性能,在7.9 GHz接近奈奎斯特频率输入下的THD<-25.6 d Bc,实现了一款单路超高速的3-bit ADC芯片设计,展示了本论文设计的THA在ADC应用中的可行性。（3）使用InP DHBT工艺研制了一款超高速30-Gsps,3-bit的DAC原形芯片。本论文给出了表征DAC性能的指标参数,分析了R-2R电流舵DAC的架构和非理想效应,使用集电极R-2R电流舵结构对高速DAC进行了设计和验证工作,分析了双采样技术的原理,提出将其用于本论文DAC的设计中来缓解时序偏移问题,使得实现30-Gsps采样率的DAC仅需要15 GHz的时钟频率;基于蒙特卡洛仿真分析了尾电流源和R-2R失配效应对DAC静态线性度的影响,并给出所使用元器件的精度要求;对版图的时钟网络路径进行了分析和设计以保证时序对准。为方便测试,本论文还设计了用于测试该DAC的PCB板,详细给出了该DAC的测试方案和测试系统,使用四通道脉冲码型发生器（PPG）为该DAC提供数字正弦码流输入,测试结果表明该DAC可实现30-Gsps的采样率以及3-bit的数模转换功能,其中根据3-bit的输出波形,粗略估计低频下的DNL和INL绝对值均小于0.5 LSB,同时该DAC还表现出在第一奈奎斯特区间内的最好31.5 d B的SFDR动态性能,从而验证了该DAC原形芯片功能的正确性和设计方法的有效性。
刘时易[6]（2020）在《三电平变频器电磁干扰抑制研究》文中研究说明以IGBT作为功率开关器件的三电平变频器,因为其工作时开关损耗较小、效率高、输出谐波含量少等优点而被广泛应用于大功率变频调速系统。但随着设备功率越做越大,开关频率越来越高,由其引发的电磁干扰（Electromagnetic interference,EMI）问题愈加突出,这不仅影响着其自身的安全稳定运行还会影响其周围设备的正常工作,因此迫切需要对其进行研究并加以抑制。本文依托大功率变频调速系统,以三电平变频器为研究对象,对其电磁干扰抑制技术进行研究。论文首先对IGBT及其栅极驱动电路寄生参数加以分析,基于Simplorer建立了IGBT动态模型并验证其有效性。针对驱动电路对器件开关特性的作用机理,详细分析了IGBT的开关过程,并通过仿真分析了不同栅极电阻和栅-射极外接电容对IGBT动态特性的影响规律,为驱动电路参数的电磁兼容性优化设计提供支持。对由于驱动电压过冲引起的栅极驱动电路EMI进行分析并提出抑制方案,仿真和实验验证了该抑制方法的有效性。其次,论文从物理模型角度对系统传导干扰源进行分析并给出干扰传播路径,介绍了变频器传导干扰的限值标准及测试结果。针对结果中干扰超标现象,从传播路径着手在产品设计阶段提出一种基于增大功率器件对地共模阻抗与阻断（改变）干扰流通路径兼备的系统传导共模EMI抑制方法。先后通过MATLAB和CST软件对采用该抑制方法前/后的系统干扰特性变化和散热器表面场强变化进行仿真,结果均表明该方法能够有效抑制系统传导共模EMI发射。然后,论文认为EMI滤波器是在产品整改阶段从干扰传播路径着手的最有效的抑制办法,阐述了EMI滤波器的相关理论并详细分析了影响其插入损耗值的因素。针对系统传导EMI部分超标的现象,设计并逐步优化了单级滤波器、两级滤波器和带有匹配网络的两级滤波器,通过Multisim仿真和实验验证了所设计EMI滤波器的有效性,使得系统的传导电磁干扰值满足国标要求。最后,论文对三电平变频器辐射干扰的干扰源进行分析并给出干扰传播方式,介绍了变频器电磁辐射干扰的限值标准及测试结果。针对系统辐射EMI超标的现象,基于电缆屏蔽技术对其进行抑制。通过CST电磁场仿真对有无屏蔽层时电缆周围电磁场分布情况进行分析,并采用场路协同仿真从屏蔽层的接地方式、具体结构、端接方式和地环路等几个方面对影响其干扰抑制效果的因素进行研究,将所得结论应用于系统整改,使得系统的电磁辐射干扰值满足国标要求。该论文有图105幅,表10个,参考文献74篇。
罗江波[7]（2019）在《高性能硅转接板的系统设计及集成制造方法研究》文中提出随着物联网、智能终端、工业智能化的兴起,电子器件高密度集成、多功能化和低功耗的需求变得更加迫切。而近年来,芯片在平面上的尺寸缩小变得非常困难,三维封装集成为解决上述难题提供了一种新的技术路线,而基于TSV硅转接板的三维堆叠封装是一种公认的可行性较高的技术方案。TSV硅转接板可承载并连接多个同质或异质芯片,实现同类芯片的扩容或多种功能芯片的高密度集成。尽管硅转接板技术具有诸多优势,但截至目前的产业化应用推广情况并不顺利,制造工艺流程复杂、关键工艺不够成熟和制造成本高等不利因素可能等是制约转接板广泛应用的关键。为了解决上述问题,本论文提出了一种工艺流程深度简化的高性能硅转接板结构设计与集成制造方法,并结合存储扩容封装转接板的应用需求,完成了新型转接板的结构优化、工艺流程设计、单元技术开发、工艺整合、样品研制和性能测试,以及转接板热性能改良,主要研究内容及创新成果如下:首先,在系统总结转接板技术国内外最新进展的基础上,结合存储扩容转接板的技术要求,提出了一种大面积、高性能硅转接板整体设计方案,并采用有限元仿真,分析了一些常用设计参数对转接板性能的影响,研究了相关设计参数对转接板热-机械性能影响的规律,形成了关于转接板结构设计的一系列规则建议。具体内容包括:研究了TSV孔径、深宽比、倾斜角、间距及绝缘层厚度对TSV热应力的影响;研究了硅基底厚度、RDL厚度和介质材料对转接板翘曲的影响,并探讨了减小转接板翘曲的可行途径;研究了TSV数量、硅基厚度、RDL层厚度、介质材料及布线密度对转接板散热性能的影响;通过传输特征、串扰及眼图分析评估了存储扩容转接板设计的电性能。在上述研究结果的基础上,形成了目标转接板的初步设计方案。其次,针对上述设计方案,在对常规工艺体系流程方案系统研究的基础上,提出了一种硅通孔片双面图形化干膜屏蔽通孔填充的创新工艺路线。新工艺采用薄晶圆作为基体,先在基体硅片上刻蚀贯穿孔,双面金属化再双面干膜光刻胶图形化覆盖,露出通孔后双面电镀填充,使TSV铜柱与及第一层焊垫/布线同时成型,然后可以采用逐层掩膜电镀布线再填充PI的方式制备多层RDL。新工艺流程省去了铜覆盖去除、背面减薄、背面制备绝缘层、背面露铜、临时键合/解键合以及正面和背面制备第一层RDL/衬垫等工艺步骤,极大的简化了转接板的工艺步骤,缩短了工艺周期,且回避了容易导致绝缘缺陷的背面露铜工序,可以在提高制造效率的同时兼顾高性能和高可靠性。本文针对简化制程的关键单元工艺进行了深度开发,并通过反复试验完成了与已有技术的深度整合,形成了简化流程的成套工艺,并研制了优化设计的转接板样品。再次,对存储扩容转接板样品进行了关键特性测试,探讨了相关测试方法及测试设备,并对测试结果进行了分析,以考察新制备工艺的可行性,验证其相较于常规制造方法的优势。主要测试结果如下:TSV电镀工艺稳定,TSV良率达到了99.91%;TSV漏电流为2.05×10-14A,远小于目前报道上可见的普遍水平;经过200次温度循环后,转接板导电通路的平均电阻变化在1%以内,没有明显失效的产生;转接板上双层RDL布线全部导通,电阻测试值与理论误差在5%以内,符合存储扩容转接板的应技术要求。上述测试结果表明,简化制程制造的转接板不但达到预期设计要求,而且拥有优异的电性能。另外,通过对转接板等效热导率偏低问题的内在原因分析,开发了一种高热导率RDL介质,有望大幅度改善转接板的热/机械性能。该高热导介质为金刚石纳米颗粒/SiC晶须/PI复合材料,热导率为1.63 W/m·K,热膨胀系数为16.7 ppm/°C,相比于PI（热导率为0.19 W/m·K,热膨胀系数为55.6 ppm/°C）,材料属性有了显着的优化。有限元仿真结果表明,改性PI复合介质RDL可以显着的降低转接板的热阻,降低转接板的热应力,减少转接板的翘曲。最后,将高导热性RDL技术整合到简化的高性能硅转接板工艺流程体系,形成了低成本、高性能硅转接板集成制造成套方法,并研制了相应的存储扩容转接板样品。热性能测试表明,集成了高导热性RDL后,转接板上最高温度由64°C降低为45.1°C,最大温差由46.6°C降低为26.8°C。通过上述研究,在综合了转接板的设计、制造及测试的基础上,本文建立了一套完整的硅转接板设计及集成制造新方法,实现了低成本、低TSV漏电流、高导热能力的硅转接板集成制造,一定程度上克服了阻碍转接板推广应用的主要障碍,为硅转接板在芯片三维封装中的广泛应用提供了新的技术支撑。
鲍鲁杰[8]（2019）在《地铁工程车EMC技术研究》文中研究表明轨道车辆电磁兼容技术是影响车辆安全运行的至关重要的因素之一。目前,我国使用的地铁工程车主要以柴油发电作为动力的内燃工程车为主,是保障地铁正常运行的不可缺少的重要组成部分。地铁工程车车载设备相对较少,但是电磁环境非常复杂,当前对地铁工程车EMC技术的研究较欠缺,针对以上现状,本论文对地铁工程车的电磁兼容技术进行系统研究,研究内容包括理论、设计、仿真、测试等,本文重点在于通过仿真和测试手段来验证地铁工程车电磁兼容设计的合理性和可靠性。首先,从电磁干扰三要素出发,介绍了干扰耦合机理以及地铁工程车电磁兼容设计中的车载设备接地理论、屏蔽理论、搭接理论,紧接着介绍了地铁工程车车辆编组、主要干扰源设备和敏感设备以及工程车EMC设计要求。其次,依据整车工作时的电气原理,分析可能会对地铁工程车安全运行产生威胁的主要干扰源和敏感设备,研究设备之间的干扰原理和干扰耦合路径,从电磁兼容设计的接地、设备布局、线缆布线、钢管搭接、控制柜布局布线等角度,结合电磁兼容标准,对地铁工程车关键位置进行电磁兼容设计。然后,通过使用Ansys Maxwell软件对20号线管的屏蔽性能、搭接等进行建模仿真。20号线管是地铁工程车安全运行、正常通信的关键位置,通过仿真,分析20号线管的磁场分布情况,检验线管屏蔽内外辐射磁场的能力,并对地铁工程车车下布线部分提出合理建议。最后,对地铁工程车整车进行电磁兼容相关测试,EMC测试主要包括辐射发射测试、磁场发射测试、辐射抗扰度测试、静电放电抗扰度测试,首先介绍测试所需要的设备、轨道车辆EMC测试要求,结合制订的地铁工程车测试方案,对整车进行电磁兼容测试,得到整车测试参数,再分析测试结果,验证得到地铁工程车辐射发射限值满足标准要求,验证了地铁工程车EMC设计的合理和可靠。
彭伟,詹于杭,张德晓[9]（2019）在《某型无人机地面站三维布线装配工艺》文中研究表明为解决大型地面站电气导线互联系统复杂,传统的手工经验式布线易导致装配现场线束比较混乱、布线质量差的问题,采用CATIA软件对方舱机柜线缆进行三维建模,并在虚拟装配环境中开展集成布线装配仿真工艺设计,结果表明,新方法可大幅提高线束布置的正确性、可靠性、美观性和可维护性,实现布线操作无需再后续更改及返工。
滕微,王宁宁,周宏,苗颖超[10]（2018）在《交流传动内燃机车布线提升》文中研究说明鉴于以往内燃机车所发生的布线故障,开发新布线工艺,以目前正在设计的时速160 km/h交流传动客运内燃机车布线设计及工艺为载体,首先进行设计理念的提升.打破老的出图方式,对原"电气连接导线"图纸进行拆分细化,在图纸设计时对所有的线缆进行分色分类布置、尽可能采取分束布置,机车电气布线图有三维立体的明确布线走向,实现布线的统一、规范.线号采用固定位标识的方法体现线缆等级.同时增大预布线范围和提升预布线手段,来确保标准的实现和作业效率的提高,并提升布线质量,减少电磁干扰,以提高机车运用可靠性.
二、接地分类及布线工艺（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、接地分类及布线工艺（论文提纲范文）
（1）基于异质集成工艺的毫米波片上无源器件建模及参数提取研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 毫米波三维异质集成技术 |
| 1.3 片上无源器件简介 |
| 1.3.1 片上传输线 |
| 1.3.2 片上电感 |
| 1.3.3 片上变压器 |
| 1.4 片上无源器件建模方法及国内外研究现状 |
| 1.5 本文组织结构及研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 毫米波片上去嵌技术研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 基于双端口模型的片上去嵌方法 |
| 2.2.1 开路-短路去嵌法 |
| 2.2.2 直通去嵌法 |
| 2.2.3 开路-短路-直通去嵌法 |
| 2.2.4 双线法(L-2L De-embedding) |
| 2.3 基于多端口电路的片上去嵌方法 |
| 2.4 基于非对称等效模型的双端口去嵌算法 |
| 2.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于分数阶微积分理论的片上传输线建模研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 传输线理论 |
| 3.1.2 片上传输线电路模型 |
| 3.2 分数阶微积分理论及其在微波电路中的应用 |
| 3.2.1 分数阶微积分基本理论 |
| 3.2.2 分数阶微积分理论在微波电路中的应用 |
| 3.3 三维异质集成工艺中的片上传输线分数阶模型 |
| 3.3.1 片上CPW传输线的分数阶模型 |
| 3.3.2 实物加工及模型验证 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于异质集成工艺的片上慢波传输线建模及应用 |
| 4.1 慢波传输线理论 |
| 4.2 微波器件的ANN建模理论 |
| 4.2.1 人工神经网络映射函数 |
| 4.2.2 人工神经网络结构 |
| 4.3 基于光敏复合薄膜多层布线工艺的慢波传输线人工神经网络模型 |
| 4.3.1 基于光敏复合薄膜多层布线工艺的慢波传输线 |
| 4.3.2 多层感知人工神经网络模型 |
| 4.3.3 人工神经网络模型实物验证 |
| 4.4 本章小节 |
| 参考文献 |
| 第五章 异质集成工艺片上电感及变压器宽带模型研究 |
| 5.1 片上电感等效电路模型简介 |
| 5.2 光敏复合薄膜多层布线工艺的片上电感设计及关键参数研究 |
| 5.2.1 金属线宽度和间隙对光敏复合薄膜多层布线工艺电感的关键参数影响 |
| 5.2.2 不同金属层的对片上电感的关键参数影响 |
| 5.2.3 片上电感设计与优化 |
| 5.3 光敏复合薄膜多层布线工艺片上螺旋电感分数阶模型研究 |
| 5.3.1 光敏复合薄膜多层布线工艺片上螺旋电感分数阶模型 |
| 5.3.2 分数阶电感模型参数提取 |
| 5.3.3 分数阶电感模型验证 |
| 5.4 基于梯度算法的片上电感及片上变压器建模 |
| 5.4.1 基于梯度算法的片上电感模型 |
| 5.4.2 基于梯度优化算法的片上变压器等效电路模型 |
| 5.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 英文名词缩写 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（2）线束生产数字化工艺引导系统研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与研究意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.2.3 国内外研究现状总结 |
| 1.3 论文主要研究内容 |
| 第2章 线束生产数字化工艺引导系统总体设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 系统需求分析 |
| 2.2.1 线束生产流程介绍 |
| 2.2.2 存在的主要问题 |
| 2.2.3 功能需求 |
| 2.3 系统的总体架构 |
| 2.4 系统应用基础模块设计 |
| 2.4.1 光学导引布线工作台 |
| 2.4.2 工艺引导显示设备 |
| 2.4.3 人机交互方案设计 |
| 2.5 系统功能模块设计 |
| 2.5.1 基础信息管理 |
| 2.5.2 布线工艺引导 |
| 2.5.3 屏蔽工艺引导 |
| 2.5.4 端接工艺引导 |
| 2.5.5 数据库管理 |
| 2.6 系统数据库设计 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 线束数字化信息建模与布线路径自动识别技术 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 线束相关构件的概念及组成 |
| 3.2.1 线束工艺图 |
| 3.2.2 线束段 |
| 3.2.3 电连接器 |
| 3.2.4 附着件 |
| 3.3 线束数字化信息模型研究 |
| 3.3.1 线束数字化信息模型表达 |
| 3.3.2 基于线束拓扑结构的数字化信息模型定义 |
| 3.3.3 线束数字化信息模型存储 |
| 3.4 布线路径自动识别技术研究 |
| 3.4.1 线束工艺图资源解析 |
| 3.4.2 布线路径自动识别过程分析 |
| 3.4.3 实例验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 线束自动布局设计及空间优化技术 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 线束分支树理论模型 |
| 4.2.1 分支树理论模型相关定义 |
| 4.2.2 分支树层次结构划分 |
| 4.3 基于谓词逻辑的线束自动布局设计及空间优化 |
| 4.3.1 线束主干的自动选取 |
| 4.3.2 线束基本构型自动布局设计 |
| 4.3.3 线束布局空间自动优化 |
| 4.4 实例验证 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 系统开发及应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 系统概况 |
| 5.2.1 系统开发总体目标 |
| 5.2.2 系统开发与运行环境 |
| 5.3 系统体系结构 |
| 5.4 系统实现与实例验证 |
| 5.4.1 系统总体实现 |
| 5.4.2 系统主要功能模块实现 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（3）基于模型的机柜布线工艺设计方法（论文提纲范文）
| 1 机柜布线工艺分析 |
| 1.1 机柜结构 |
| 1.2 机柜布线原则 |
| 1.3 传统机柜布线工艺方式及缺点 |
| 2 基于模型的布线工艺设计 |
| 2.1 三维布线模型设计 |
| 2.2 基于模型的布线工艺设计 |
| 2.3 基于模型的布线工艺优点 |
| 3 基于模型的布线工艺应用 |
| 4 结论 |
（4）高速高密度电路互连结构的传输特性研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及选题意义 |
| 1.2 国内外研究现状与选题研究目标 |
| 1.2.1 研究现状 |
| 1.2.2 面临挑战与发展趋势 |
| 1.3 论文的主要内容和结构 |
| 2 典型互连结构的基础理论 |
| 2.1 互连线的传输理论模型 |
| 2.1.1 平面电磁波 |
| 2.1.2 互连结构的基本传输特性 |
| 2.1.3 互连线的RLGC传输模型 |
| 2.2 互连线的RLGC模型计算 |
| 2.2.1 互连线RLGC模型参数理论计算 |
| 2.2.2 互连线RLGC模型的端口网络分析 |
| 2.3 典型结构互连线的RLGC模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 印刷电路板上微米级平行结构互连线电磁串扰特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 平行互连线串扰模型的构建与解析 |
| 3.2.1 互连线结构分布参数的RLGC模型 |
| 3.2.2 分布式RLGC等效电路模型的解析 |
| 3.3 微米级平行结构串扰特性的仿真模型 |
| 3.3.1 带测试结构的平行互连线设计方案 |
| 3.3.2 理论分析有/无测试结构对平行互连线传输特性影响 |
| 3.3.3 仿真分析有无测试结构对平行互连线传输特性影响 |
| 3.4 微米级平行互连线电磁传输特性 |
| 3.4.1 微米级与毫米级平行互连线串扰特性的不同点 |
| 3.4.2 不同介质层微米级平行互连线的串扰特性 |
| 3.4.3 不同制作工艺的微米级平行互连线有不同阻抗特性 |
| 3.5 微米级平行互连线的串扰特性 |
| 3.5.1 互连线线间距对串扰的影响 |
| 3.5.2 互连线线长度对串扰的影响 |
| 3.5.3 互连线线宽度对串扰的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 印刷电路板上微米级平行结构互连线电磁串扰特性测试 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 测试实验方案分析 |
| 4.2.1 加工与测试方案分析 |
| 4.2.2 不同负载匹配的平行互连线串扰测试与分析 |
| 4.2.3 串扰频域传输特性相关性 |
| 4.2.4 微米级、毫米级平行互连线的串扰测试 |
| 4.3 平行结构互连线的串扰测试性能分析 |
| 4.3.1 互连线线间距对串扰的影响 |
| 4.3.2 互连线线长度对串扰的影响 |
| 4.3.3 互连线线宽度对串扰的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 印刷电路板上过孔型互连结构电磁传输特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 过孔互连结构模型的构建 |
| 5.2.1 空中源区强电磁脉冲干扰环境的模拟 |
| 5.2.2 空中源区强电磁脉冲耦合过孔型电磁防护结构 |
| 5.2.3 电路间的过孔型电磁滤波互连结构 |
| 5.3 过孔互连结构的电磁防护及滤波特性仿真分析 |
| 5.3.1 独立过孔结构 |
| 5.3.2 过孔加载枝节谐振器 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 印刷电路板上过孔型互连结构电磁滤波特性测试 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 过孔互连结构电磁滤波电路的实验方案 |
| 6.3 过孔型互连结构滤波器 |
| 6.3.1 过孔加载枝节互连结构滤波器的设计分析 |
| 6.3.2 过孔加载枝节互连结构滤波器的加工测试 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 集成电路中微米级互连结构电磁辐照效应研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 分段结构互连线辐照模型 |
| 7.2.1 连续结构互连线辐照模型的构建 |
| 7.2.2 构建辐照仿真平台模型 |
| 7.2.3 互连线RLGC电路模型的解析 |
| 7.3 分段结构电磁辐照模型的设计 |
| 7.4 互连线分布参数电路模型的电磁辐照特性 |
| 7.4.1 互连线结构参数与辐照相关影响 |
| 7.4.2 辐照对有效传输信号互连线的等效线长影响 |
| 7.4.3 分段结构互连线分布参数辐照特性分析 |
| 7.5 本章小结 |
| 8 总结与展望 |
| 8.1 全文工作总结 |
| 8.2 进一步研究的展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（5）宽带通信中的超高速数据转换器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 宽带通信中的超高速数据转换器应用 |
| 1.2 超高速数据转换器研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 超高速数据转换器中的关键问题 |
| 1.4 本论文研究思路与组织结构 |
| 第二章 InP DHBT超高速数据转换器原理 |
| 2.1 InP DHBT器件工艺和基本电路形式 |
| 2.2 超高速跟踪保持放大器 (THA) |
| 2.2.1 THA性能指标 |
| 2.2.2 高速THA电路拓扑 |
| 2.3 快闪型模数转换器(Flash ADC) |
| 2.3.1 工作原理和性能指标 |
| 2.3.2 Flash ADC的非理想效应 |
| 2.4 电流舵型数模转换器(CS DAC) |
| 2.4.1 工作原理和性能指标 |
| 2.4.2 CS DAC的非理想效应 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 超高速THA中的关键技术与设计方法 |
| 3.1 THA整体架构 |
| 3.2 24-Gsps的带宽增强型THA设计 |
| 3.2.1 阻容退化带宽增强技术 |
| 3.2.2 宽带THA电路设计 |
| 3.3 40-Gsps的高线性度THA设计 |
| 3.3.1 Vbe调制非线性分析 |
| 3.3.2 高线性度THA电路设计 |
| 3.4 64-Gsps的超宽带THA设计 |
| 3.4.1 有源电感峰化技术 |
| 3.4.2 超宽带THA设计 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 超高速THA电路测试与分析 |
| 4.1 THA电路测试系统和平台 |
| 4.2 THA-24芯片测试与分析 |
| 4.3 THA-40芯片测试与分析 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 超高速ADC和DAC电路设计研究 |
| 5.1 超高速ADC电路设计考虑 |
| 5.1.1 关键电路设计 |
| 5.1.2 信号完整性问题改善 |
| 5.1.3 时钟分配网络设计与优化 |
| 5.1.4 版图总体优化和仿真 |
| 5.2 超高速DAC电路设计 |
| 5.2.1 超高速电路中的双采样技术 |
| 5.2.2 关键电路设计 |
| 5.2.3 版图布局优化与仿真 |
| 5.2.4 DAC测试结果与分析 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 研究总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）三电平变频器电磁干扰抑制研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 变量注释表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 2 基于栅极驱动电路的三电平变频器EMI分析与抑制 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 IGBT栅极驱动电路结构 |
| 2.3 IGBT模块及其驱动电路寄生参数分析 |
| 2.4 基于Simplorer的 IGBT动态特性影响参数分析 |
| 2.5 IGBT栅极驱动电路EMI分析与抑制 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 三电平变频器传导共模EMI的分析与抑制 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 传导共模干扰分析 |
| 3.3 变频器传导干扰的标准及测试 |
| 3.4 三电平变频器传导共模EMI抑制方法分析 |
| 3.5 仿真分析与验证 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 基于EMI滤波器的三电平变频器传导电磁干扰抑制技术研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 插入损耗 |
| 4.3 传统EMI滤波器分析 |
| 4.4 三电平变频器无源EMI滤波器设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 三电平变频器输出电缆辐射EMI的分析与抑制 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电缆辐射干扰机理分析 |
| 5.3 变频器电磁辐射干扰的标准及测试 |
| 5.4 基于电缆屏蔽技术的辐射干扰抑制方法分析 |
| 5.5 基于电缆屏蔽技术的辐射干扰抑制方法应用 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（7）高性能硅转接板的系统设计及集成制造方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 TSV三维封装技术概述 |
| 1.1.1 TSV三维封装技术的发展及现状 |
| 1.1.2 TSV三维封装技术的分类及优缺点比较 |
| 1.2 转接板技术概述 |
| 1.2.1 转接板的典型结构 |
| 1.2.2 硅转接板/玻璃转接板/有机转接板 |
| 1.2.3 硅转接板的应用 |
| 1.3 硅转接板技术面临的挑战 |
| 1.4 转接板集成方法及制备工艺的研究现状 |
| 1.5 本文的研究意义及主要内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 硅转接板的系统设计 |
| 2.1 硅转接板设计的性能要求及设计参数 |
| 2.2 TSV热应力分析 |
| 2.2.1 TSV单孔的热应力 |
| 2.2.2 TSV孔径和深宽比对热应力的影响 |
| 2.2.3 绝缘层厚度对TSV热应力的影响 |
| 2.2.4 TSV孔形状对热应力的影响 |
| 2.2.5 TSV阵列的热应力 |
| 2.3 转接板翘曲分析 |
| 2.3.1 RDL层厚度对翘曲的影响 |
| 2.3.2 硅基底厚度对翘曲的影响 |
| 2.3.3 减小转接板翘曲的方法 |
| 2.4 转接板散热性能分析 |
| 2.4.1 转接板散热有限元模型 |
| 2.4.2 TSV数量及硅基底厚度对转接板热阻的影响 |
| 2.4.3 RDL层对转接板热阻的影响 |
| 2.5 信号完整性分析 |
| 2.5.1 传输特性及串扰 |
| 2.5.2 眼图仿真分析 |
| 2.6 制备工艺对设计的限制 |
| 2.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 硅转接板制备工艺 |
| 3.1 常规的硅转接板制备工艺流程 |
| 3.2 薄晶圆通孔电镀TSV的转接板制备工艺 |
| 3.3 关键工艺的研究 |
| 3.3.1 通孔刻蚀工艺 |
| 3.3.2 双面干膜通孔电镀工艺 |
| 3.3.3 转接板高密度布线工艺 |
| 3.4 与常规工艺相比的优势 |
| 3.4.1 工艺步骤的简化 |
| 3.4.2 工艺成本对比分析 |
| 3.4.3 TSV绝缘性能分析 |
| 3.5 存储扩容转接板的制备及样品 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 转接板性能测试及结果分析 |
| 4.1 转接板可靠性测试 |
| 4.1.1 菊花链结构测试 |
| 4.1.2 TSV漏电流测试 |
| 4.1.3 RDL介质层漏电流测试 |
| 4.1.4 温度循环测试 |
| 4.1.5 工艺兼容性测试 |
| 4.2 转接板等效热机械性能测试 |
| 4.2.1 等效热导率测试 |
| 4.2.2 等效热膨胀系数测试 |
| 4.2.3 等效弹性模量与弯曲强度测试 |
| 4.3 转接板电性能测试 |
| 4.3.1 电气连接通断测试 |
| 4.3.2 RDL导线电阻率测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 转接板高导热性RDL的集成 |
| 5.1 RDL层间介质材料概述 |
| 5.2 改性复合介质材料的制备 |
| 5.2.1 高热导率的聚合物基复合材料 |
| 5.2.2 基体与增强相的选择 |
| 5.2.3 SiC晶须和金刚石纳米颗粒改性PI复合材料的制备工艺 |
| 5.3 改性PI复合介质材料性能的测试及组分比例选择 |
| 5.3.1 改性PI复合介质材料的热导率 |
| 5.3.2 改性PI复合介质材料的热膨胀系数 |
| 5.3.3 改性PI复合介质材料组分比例的选择及其它相关性能测试 |
| 5.4 改性PI复合介质RDL对转接板热性能影响的仿真分析 |
| 5.5 高导热性RDL存储扩容转接板 |
| 5.5.1 高导热性RDL存储扩容转接板的制造 |
| 5.5.2 高导热性RDL存储扩容转接板的热性能测试 |
| 5.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文主要研究内容和重要结论 |
| 6.2 本文主要创新点 |
| 6.3 研究展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
（8）地铁工程车EMC技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 符号说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 国内外电磁兼容发展历程 |
| 1.3 地铁工程车电磁兼容技术发展研究现状 |
| 1.4 课题研究意义 |
| 1.5 论文研究内容与文章组织架构 |
| 本章小结 |
| 第二章 地铁工程车电磁兼容理论 |
| 2.1 电磁干扰原理 |
| 2.2 干扰耦合机理 |
| 2.2.1 传导耦合 |
| 2.2.2 辐射耦合 |
| 2.3 地铁工程车电磁兼容设计理论 |
| 2.3.1 地铁工程车车载设备接地理论 |
| 2.3.2 地铁工程车屏蔽理论 |
| 2.3.3 地铁工程车搭接理论 |
| 2.4 地铁工程车系统构成和EMC设计要求 |
| 2.4.1 地铁工程车系统构成 |
| 2.4.2 地铁工程车EMC设计要求 |
| 本章小结 |
| 第三章 地铁工程车整车电磁兼容设计 |
| 3.1 接地设计 |
| 3.1.1 地铁工程车上的车载设备接地设计 |
| 3.1.2 地铁工程车上的关键信号线屏蔽层接地设计 |
| 3.2 布局布线设计 |
| 3.2.1 地铁工程车整车布局设计 |
| 3.2.2 地铁工程车整车布线设计 |
| 3.3 地铁工程车钢管电磁兼容设计 |
| 3.3.1 20号钢管接地设计 |
| 3.3.2 钢管布线设计 |
| 3.4 地铁工程车控制柜布局布线设计 |
| 3.4.1 控制柜设计 |
| 3.4.2 RHW车控制配电柜设计 |
| 3.4.3 FPW车控制配电柜设计 |
| 本章小结 |
| 第四章 地铁工程车车下20号线管EMC仿真 |
| 4.1 Maxwell仿真软件介绍 |
| 4.2 线管设计EMC仿真架构 |
| 4.3 仿真理论 |
| 4.3.1 三维涡流场理论 |
| 4.3.2 三维静磁场理论 |
| 4.3.3 三维静电场理论 |
| 4.4 20号钢管仿真 |
| 4.4.1 20号钢管模型构建 |
| 4.4.2 仿真搭建 |
| 4.4.3 线管EMC仿真分析与设计 |
| 4.4.4 线槽与线管仿真对比 |
| 4.4.5 20号线管搭接仿真 |
| 本章小结 |
| 第五章 地铁工程车整车级电磁兼容测试 |
| 5.1 轨道列车电磁兼容测试要求 |
| 5.2 轨道车辆整车级电磁兼容测试场地和测试设备 |
| 5.2.1 测试场地 |
| 5.2.2 测试仪器 |
| 5.3 整车级电磁兼容测试 |
| 5.3.1 辐射发射测试 |
| 5.3.2 磁场发射测试 |
| 5.3.3 辐射抗扰度测试 |
| 5.3.4 静电放电抗扰度测试 |
| 5.4 整车级电磁兼容测试结论 |
| 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A 电磁兼容试验性能判据 |
| 致谢 |
（9）某型无人机地面站三维布线装配工艺（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 地面站电气导线互联系统概况 |
| 2 三维电气导线互联系统建模仿真 |
| 2.1 元器件库建模 |
| 2.2 三维方舱建模与布线架设计 |
| 2.3 三维布线仿真 |
| 2.4 创建线束总成 |
| 3 三维电气导线互联系统布线设计 |
| 4 结束语 |
（10）交流传动内燃机车布线提升（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 布线提升 |
| 1.1 布线提升的规则 |
| 1.2 机车线缆分类 |
| 1.3 隔离原则 |
| 1.4 布线提升具体做法 |
| 1.4.1 模块化司机室预布线工艺提升 |
| 1.4.2 模块化电气柜布线工艺提升 |
| 1.4.3 车体、车架预布线工艺提升 |
| 1.5 特殊电气连接力矩试验方法 |
| 2 结论 |
四、接地分类及布线工艺（论文参考文献）
- [1]基于异质集成工艺的毫米波片上无源器件建模及参数提取研究[D]. 史丽云. 华东师范大学, 2021
- [2]线束生产数字化工艺引导系统研究[D]. 李明. 长春理工大学, 2021(02)
- [3]基于模型的机柜布线工艺设计方法[A]. 李振亚,谭进波,鞠传海. 第九届中国航空学会青年科技论坛论文集, 2020
- [4]高速高密度电路互连结构的传输特性研究[D]. 许晓飞. 北京交通大学, 2020(03)
- [5]宽带通信中的超高速数据转换器研究[D]. 李少军. 西安电子科技大学, 2020(05)
- [6]三电平变频器电磁干扰抑制研究[D]. 刘时易. 中国矿业大学, 2020(03)
- [7]高性能硅转接板的系统设计及集成制造方法研究[D]. 罗江波. 上海交通大学, 2019(06)
- [8]地铁工程车EMC技术研究[D]. 鲍鲁杰. 大连交通大学, 2019(08)
- [9]某型无人机地面站三维布线装配工艺[J]. 彭伟,詹于杭,张德晓. 航空电子技术, 2019(01)
- [10]交流传动内燃机车布线提升[J]. 滕微,王宁宁,周宏,苗颖超. 大连交通大学学报, 2018(06)